[发明专利]一种改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法在审
| 申请号： | 202011344307.5 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112420594A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 欧少敏;冯大贵;吴长明 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 沟槽 刻蚀 产生 方法 | ||
本发明提供一种改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法，提供硅基底，在硅基底上形成一硬掩膜层；刻蚀硬掩膜层至露出硅基底上表面为止，形成硬掩膜图形；在硅基底上表面堆积聚合物，在硬掩膜图形的根部形成圆角结构；沿硬掩膜图形刻蚀所述硅基底，形成侧壁结构均一的沟槽。本发明通过在硅基底上的硬掩膜图形的根部堆积聚合物，使得刻蚀形成的沟槽侧壁结构均一，避免产生沟槽侧壁侧掏的现象。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法。
背景技术
Power MOS沟槽(trench)刻蚀过程中，由于硅(Si)对硬掩膜(hard mask)的选择刻蚀比较高，如果沟槽(trench)的侧壁保护不足，容易产生侧掏(undercut)的现象。如图1所示，图1显示为传统沟槽刻蚀工艺中产生侧掏的电子显微镜示意图。
因此，需要提出一种新的方法用于解决上述问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法，用于解决现有技术中由于硅对硬掩膜选择刻蚀比高，从而使得沟槽侧壁产生侧掏的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供硅基底，在所述硅基底上形成一硬掩膜层；
步骤二、刻蚀所述硬掩膜层至露出所述硅基底上表面为止，形成硬掩膜图形；
步骤三、在所述硅基底上表面堆积聚合物，在所述硬掩膜图形的根部形成圆角结构；
步骤四、沿所述硬掩膜图形刻蚀所述硅基底，形成侧壁结构均一的硅结构。
优选地，步骤三中的通过CHF3与O2在所述硅基底表面堆积聚合物。
优选地，步骤三中的所述CHF3与O2中O2的含量小于CHF3的含量。
优选地，步骤三中的通过CH3F与O2在所述硅基底表面堆积聚合物。
优选地，步骤三中的所述CH3F与O2中O2的含量小于CH3F的含量。
优选地，步骤三中的通过CHF3与、CH3F与O2在所述硅基底表面堆积聚合物。
优选地，步骤三中所述CHF3与、CH3F的含量之和大于O2的含量。
优选地，步骤四中刻蚀所述硅基底后，形成的所述硅结构顶部还有剩余硬掩膜图形。
优选地，步骤四中采用干法刻蚀的方法刻蚀所述硅基底。
如上所述，本发明的改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法，具有以下有益效果：本发明通过在硅基底上的硬掩膜图形的根部堆积聚合物，使得刻蚀形成的沟槽侧壁结构均一，避免产生沟槽侧壁侧掏的现象。
附图说明
图1显示为本发明的硅基底上形成有硬掩膜图形的结构示意图；
图2显示为本发明中在硅基底上堆积聚合物形成圆角结构的结构示意图；
图3显示为本发明中刻蚀硅基底形成沟槽的结构示意图；
图4显示为本发明的改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法流程图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
