[发明专利]一种改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法在审
| 申请号： | 202011344307.5 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112420594A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 欧少敏;冯大贵;吴长明 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 沟槽 刻蚀 产生 方法 | ||
1.一种改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供硅基底，在所述硅基底上形成一硬掩膜层；
步骤二、刻蚀所述硬掩膜层至露出所述硅基底上表面为止，形成硬掩膜图形；
步骤三、在所述硅基底上表面堆积聚合物，在所述硬掩膜图形的根部形成圆角结构；
步骤四、沿所述硬掩膜图形刻蚀所述硅基底，形成侧壁结构均一的沟槽。
2.根据权利要求1所述的改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法，其特征在于：步骤三中的通过CHF3与O2在所述硅基底表面堆积聚合物。
3.根据权利要求2所述的改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法，其特征在于：步骤三中的所述CHF3与O2中O2的含量小于CHF3的含量。
4.根据权利要求1所述的改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法，其特征在于：步骤三中的通过CH3F与O2在所述硅基底表面堆积聚合物。
5.根据权利要求4所述的改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法，其特征在于：步骤三中的所述CH3F与O2中O2的含量小于CH3F的含量。
6.根据权利要求1所述的改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法，其特征在于：步骤三中的通过CHF3与、CH3F与O2在所述硅基底表面堆积聚合物。
7.根据权利要求6所述的改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法，其特征在于：步骤三中所述CHF3与、CH3F的含量之和大于O2的含量。
8.根据权利要求1所述的改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法，其特征在于：步骤四中刻蚀所述硅基底后，形成的所述硅结构顶部还有剩余硬掩膜图形。
9.根据权利要求1所述的改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法，其特征在于：步骤四中采用干法刻蚀的方法刻蚀所述硅基底。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011344307.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种大跨悬空钢桁梁结构的施工方法
- 下一篇：空调
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
