[发明专利]覆晶薄膜及显示面板在审
| 申请号: | 202011344184.5 | 申请日: | 2020-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN112582430A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
| 发明(设计)人: | 黄凤娟;黄明彦 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 显示 面板 | ||
1.一种覆晶薄膜,其特征在于,包括弯折区和位于弯折区两侧的第一非弯折区和第二非弯折区,所述弯折区绕第一弯折轴弯折,所述第一弯折轴沿第一方向延伸;所述弯折区包括第一边界和第二边界,所述第一边界和所述第二边界分别与所述第一非弯折区和所述第二非弯折区相邻;
所述覆晶薄膜还包括:
基底和设置于所述基底上的多个导电衬垫和多条第一走线,所述导电衬垫位于所述第一非弯折区;所述导电衬垫包括多个有效衬垫和至少一个虚设衬垫,所述虚设衬垫位于任意相邻两个有效衬垫之间;
所述第一走线包括与所述有效衬垫电连接的第一子走线和与所述虚设衬垫电连接的第二子走线,所述第一子走线从所述第一非弯折区延伸至所述弯折区、并从所述弯折区延伸至所述第二非弯折区;所述第二子走线从所述第一非弯折区至少延伸至所述弯折区,所述第二子走线浮置;在所述弯折区,各所述第一走线沿所述第一方向排布且沿第二方向延伸,且各所述第二子走线向所述基底的正投影均与所述第一边界和所述第二边界交叠,所述第一方向和所述第二方向相交。
2.根据权利要求1所述的覆晶薄膜,其特征在于,各所述第二子走线从所述弯折区延伸至所述第二非弯折区。
3.根据权利要求1所述的覆晶薄膜,其特征在于,所述第一走线位于所述弯折区的部分为第一线段,各所述第一线段同层设置,沿所述第一方向相邻的任意两条所述第一线段之间的距离相等。
4.根据权利要求1所述的覆晶薄膜,其特征在于,所述第一走线位于所述弯折区的部分为第一线段,所述第一线段异层设置,位于不同层的所述第一线段向所述基底的正投影至少部分不交叠。
5.根据权利要求1所述的覆晶薄膜,其特征在于,所述第一走线位于所述弯折区的部分为第一线段,所述第一线段异层设置,位于不同层的所述第一线段向所述基底的正投影互不交叠。
6.根据权利要求4或5所述的覆晶薄膜,其特征在于,位于相同层的所述第一线段中,沿所述第一方向相邻的任意两条所述第一线段之间的距离相等。
7.根据权利要求1所述的覆晶薄膜,其特征在于,还包括多条第二走线,所述第二走线浮置;所述覆晶薄膜包括沿第一方向相对设置的两条边界线,所述第一走线形成第一走线组,所述第一走线组位于所述两条边界线之间;
沿所述第一方向,所述第二走线位于所述第一走线组与所述边界线之间;在所述弯折区,所述多条第二走线沿所述第二方向延伸并沿所述第一方向排布,且各所述第二走线向所述基底的正投影均与所述第一边界和所述第二边界交叠。
8.根据权利要求7所述的覆晶薄膜,其特征在于,在所述弯折区:所述第二走线与至少部分所述第一走线同层设置;同层设置的所述第一走线和所述第二走线中,沿所述第一方向相邻的任意两条所述第二走线之间的距离为D1,沿所述第一方向相邻的所述第一走线与所述第二走线之间的距离为D2,沿所述第一方向相邻的两条所述第一走线之间的距离为D0,其中,D1、D2和D0在工艺误差范围内相等。
9.根据权利要求8所述的覆晶薄膜,其特征在于,18μm≤D0≤30μm。
10.根据权利要求8所述的覆晶薄膜,其特征在于,在所述弯折区,沿所述第一方向,各所述第二走线的线宽与各所述第一走线的线宽在工艺误差范围内相等。
11.根据权利要求10所述的覆晶薄膜,其特征在于,所述第一走线的线宽为H0,10μm≤H0≤19μm。
12.根据权利要求7所述的覆晶薄膜,其特征在于,在所述弯折区,沿所述第一走线指向所述第二走线的方向,所述第二走线的线宽递增。
13.根据权利要求12所述的覆晶薄膜,其特征在于,在所述弯折区,沿所述第一方向,各所述第一走线的线宽相等,与所述第一走线相邻的所述第二走线的线宽与所述第一线段的线宽相等。
14.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1至13之任一所述的覆晶薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





