[发明专利]一种原位修复技术

权利要求书

1.一种封装于膜组件内的钯与钯合金复合膜原位修复技术，其特征在于包含膜缺陷封堵、烧结和吹扫3个步骤，利用高压气体携带陶瓷粉体并将陶瓷粉体自动沉积在膜缺陷处，通过高温处理将陶瓷粉体烧结在膜缺陷处，在烧结过程中持续向膜组件内通入高压气体，当加热温度超过150℃时，进气为氮气，将陶瓷粉体持续带向膜缺陷处以始终保持陶瓷粉体对膜缺陷的封堵，降温后用氮气或压缩空气吹扫出膜组件内的多余陶瓷粉体；

膜缺陷封堵操作过程为：关闭膜组件(1)的尾气口(8)，从进气口(5)将陶瓷粉体(7)加入到膜组件(1)的进气侧(6)；从进气口(5)通入氮气或压缩空气，膜缺陷泄漏的气体从钯膜(2)的渗透侧(3)流出。

2.如权利要求1所述的膜原位修复技术，其特征在于膜缺陷封堵操作过程中：将膜组件(1)竖立，使膜组件(1)内的气流方向保持由下向上；缓慢提高进气压力至0.5-5MPa，使膜渗透侧(3)的气体泄漏量低于10ml/(cm²·min·MPa)。

3.如权利要求1所述的膜原位修复技术，其特征在于烧结操作过程为：加热膜组件(1)，升温速率为1-15℃/min；在300-700℃保持0.2-3h，将膜组件(1)自然冷却，停止通入氮气。

4.如权利要求1所述的膜原位修复技术，其特征在于吹扫操作过程为：打开膜组件(1)的尾气口(8)，用压缩空气或氮气将膜组件(1)内仍具有流动性的陶瓷粉体(7)吹出来，进气压力为0-0.5MPa。

5.如权利要求1所述的膜原位修复技术，其特征在于“烧结”与“膜缺陷封堵”这两个步骤同时进行，或者“吹扫”步骤在“烧结”步骤之前进行。

6.如权利要求1所述的膜原位修复技术，其特征在于所述陶瓷粉体材料为SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、碱土金属氧化物、稀土金属氧化物、混合金属氧化物、金属/陶瓷混合物、沸石分子筛、粘土、蒙脱土、高岭土、硅藻土、凹凸棒土的一种或几种混和。

7.如权利要求6所述的膜原位修复技术，其特征在于陶瓷粉体材料粒径分布为0.001-10μm，平均粒径为0.005-5μm。

8.如权利要求1所述的膜原位修复技术，其特征在于还适用于陶瓷致密膜、陶瓷超滤膜、陶瓷纳滤膜和分子筛膜。