[发明专利]eflash器件的控制栅刻蚀方法

说明书

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种eflash器件的控制栅刻蚀方法。包括：提供一eflash器件的存储区结构，存储区结构由下至上依次层叠的栅介质层、多晶硅浮栅、多晶硅间介质层、多晶硅控制栅和掩模层；在掩模层上开设刻蚀窗口；在刻蚀窗口的周壁上形成侧墙，通过侧墙定义出控制栅刻蚀图案；根据控制栅刻蚀图案进行干法刻蚀，刻蚀去除控制栅刻蚀图案位置处的多晶硅控制栅，使得刻蚀停止面位于多晶硅间介质层中；根据控制栅刻蚀图案进行湿法刻蚀，刻蚀去除在栅刻蚀图案位置处，剩余的多晶硅间介质层；使得多晶硅控制栅的刻蚀周面光滑。本申请可以解决相关技术中控制栅的顶端出现尖角，从而对产品的良率产生不利影响的问题。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种eflash器件的控制栅刻蚀方法。

背景技术

嵌入式快闪存储单元(Embedded Flash，eflash)，以其低成本、低功耗、存取速度快等性能优势，已经在非易失存储器领域占据越来越重要的地位。随着科技的发展，数据存储介质应用也由一些传统的非易失存储器专向闪存型存储器，以闪存为主要存储介质的大容量固态存储设备已经成为当今数据存储的主流方案之一。

通常，eflash的存储结构包括层叠在一起的浮栅和控制栅，该浮栅和控制栅之间形成复合介质层。通过向eflash的控制栅等电极施加不同的操作电压，实现对该eflash的读操作、写操作以及擦除操作的控制。eflash的存储内容取决于其存储结构中浮栅存储电子的状态，若浮栅为没有电子的状态，则eflash中的数据为1，若浮栅为有电子的状态，则eflash中的数据为0。

相关技术eflash的制作过程中需要对其控制栅进行刻蚀以制作字线，在对控制栅进行刻蚀前先在需要刻蚀去除的位置处形成刻蚀窗口，再通过干法刻蚀去除该刻蚀窗口位置处的控制栅材料和该复合介质层的表层，然后通过氢氟酸进一步出去刻蚀窗口位置处的剩余复合介质层，从而完成对控制栅的刻蚀。

图1示出了通过相关技术完成对控制栅刻蚀后的器件剖视结构示意图，包括层叠在一起的浮栅110和控制栅130，该浮栅110和控制栅130之间形成复合介质层120。相关技术中的控制栅刻蚀方法会使得控制栅的顶端出现如图1中A部分所示的尖角，从而对产品的良率产生不利影响。

发明内容

本申请提供了一种eflash器件的控制栅刻蚀方法，可以解决相关技术中控制栅的顶端出现尖角，从而对产品的良率产生不利影响的问题。

本申请提供一种eflash器件的控制栅刻蚀方法，所述eflash器件的控制栅刻蚀方法包括：

提供一eflash器件的存储区结构，所述存储区结构包括由下至上依次层叠的栅介质层、多晶硅浮栅、多晶硅间介质层、多晶硅控制栅和掩模层；

在所述掩模层上开设刻蚀窗口；

在所述刻蚀窗口的周壁上形成侧墙，通过所述侧墙定义出控制栅刻蚀图案；

根据所述控制栅刻蚀图案进行干法刻蚀，刻蚀去除所述控制栅刻蚀图案位置处的多晶硅控制栅，使得刻蚀停止面位于所述多晶硅间介质层中；

根据所述控制栅刻蚀图案进行湿法刻蚀，刻蚀去除在所述栅刻蚀图案位置处，剩余的多晶硅间介质层；使得所述多晶硅控制栅的刻蚀周面光滑。

可选的，所述多晶硅间介质层包括由下至上依次层叠的第一氧化层、氮化层和第二氧化层；

所述根据所述控制栅刻蚀图案进行干法刻蚀，刻蚀去除所述栅刻蚀图案位置处的多晶硅控制栅，使得刻蚀停止面位于所述多晶硅间介质层中的步骤，包括：

根据所述控制栅刻蚀图案进行干法刻蚀，刻蚀去除所述栅刻蚀图案位置处的多晶硅控制栅，使得刻蚀停止面位于所述多晶硅间介质层的氮化层中。