[发明专利]eflash器件的控制栅刻蚀方法

权利要求书

1.一种eflash器件的控制栅刻蚀方法，其特征在于，所述eflash器件的控制栅刻蚀方法包括：

提供一eflash器件的存储区结构，所述存储区结构包括由下至上依次层叠的栅介质层、多晶硅浮栅、多晶硅间介质层、多晶硅控制栅和掩模层，其中，所述多晶硅间介质层包括由下至上依次层叠的第一氧化层、氮化层和第二氧化层；

在所述掩模层上开设刻蚀窗口；

在所述刻蚀窗口的周壁上形成侧墙，通过所述侧墙定义出控制栅刻蚀图案；

根据所述控制栅刻蚀图案进行干法刻蚀，刻蚀去除所述栅刻蚀图案位置处的多晶硅控制栅，使得刻蚀停止面位于所述多晶硅间介质层的氮化层中；

根据所述控制栅刻蚀图案进行湿法刻蚀，刻蚀去除在所述栅刻蚀图案位置处，剩余的多晶硅间介质层；使得所述多晶硅控制栅的刻蚀周面光滑。

2.如权利要求1所述的eflash器件的控制栅刻蚀方法，其特征在于，所述根据所述控制栅刻蚀图案进行湿法刻蚀，刻蚀去除在所述栅刻蚀图案位置处，剩余的多晶硅间介质层的步骤，包括：

采用非氢氟酸的刻蚀液对所述控制栅刻蚀图案进行湿法刻蚀，刻蚀去除在所述栅刻蚀图案位置处，剩余的多晶硅间介质层。

3.如权利要求1所述的eflash器件的控制栅刻蚀方法，其特征在于，所述在所述掩模层上开设刻蚀窗口的步骤，包括：

通过光刻工艺在所述掩模层上定义出刻蚀窗口图案；

根据所述刻蚀窗口图案对所述掩模层进行刻蚀，形成所述刻蚀窗口。

4.如权利要求1所述的eflash器件的控制栅刻蚀方法，其特征在于，所述在所述刻蚀窗口的周壁上形成侧墙，通过所述侧墙定义出控制栅刻蚀图案的步骤，包括：

沉积二氧化硅层，使得所述二氧化硅层覆盖在剩余的掩模层上、刻蚀窗口的周壁上和所述刻蚀窗口位置处的多晶硅控制栅上；

通过光刻工艺在所述二氧化硅层上定义出侧墙图案；

刻蚀去除所述侧墙图案以外的所述二氧化硅层，使得在所述刻蚀窗口的周壁上形成侧墙。

5.如权利要求1所述的eflash器件的控制栅刻蚀方法，其特征在于，所述掩模层的厚度为3000埃至4000埃。

6.如权利要求1所述的eflash器件的控制栅刻蚀方法，其特征在于，所述多晶硅控制栅的厚度为500埃至700埃。

7.如权利要求1所述的eflash器件的控制栅刻蚀方法，其特征在于，所述多晶硅间介质层的厚度为120埃至160埃。

8.如权利要求1所述的eflash器件的控制栅刻蚀方法，其特征在于，所述存储区结构位于所述eflash器件衬底层的沟道区上。