[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底；位于衬底上的若干第一鳍部结构，所述第一鳍部结构包括沿第一方向平行排布的第一鳍部和第二鳍部、以及沿第二方向平行排布的第三鳍部和第四鳍部，所述第三鳍部连接所述第一鳍部和所述第二鳍部的一侧端部，所述第四鳍部连接所述第一鳍部和所述第二鳍部的另一侧端部。该结构的所述第一鳍部结构的体积较大，使得在所述第一鳍部结构两侧所形成的第一源漏开口的表面积增大。当所述第一源漏开口的表面积增大后，在第一源漏开口内形成的所述第一源漏掺杂层的体积也相应增大，进而使得所述第一源漏掺杂层内掺入的第一源漏离子增多，以此提升所述第一源漏掺杂层之间的电流，使得最终形成的半导体结构的性能提升。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着半导体器件集成度的提高，晶体管的关键尺寸不断缩小，关键尺寸的缩小意味着在芯片上可布置更多数量的晶体管，进而提高器件的性能。然而，随着器件面积的不断缩小，问题也随之产生。随着晶体管尺寸的急剧减小，栅介质层厚度与工作电压不能相应改变使抑制短沟道效应的难度加大，使晶体管的沟道漏电流增大。

MOS管缩小进而栅极变短，从而在栅极下面的电流沟道也跟着变短，当MOS管沟道缩短到一定程度时，就会出现短沟道效应。理论上说，沟道长度为源极前延到漏极前延的距离，然而，沟道的有效长度会受到源极和漏极与衬底形成的结面空泛区的影响而发生变化。当沟道长度与结面空泛区的深度相当或者更短时，结面空泛区会明显的切入电流沟道，导致栅极阈值电压降低，这便是短沟道效应。

为了降低半导体器件的短沟道效应，现有技术中通常会增加栅极结构沿鳍部延伸方向上的宽度尺寸。然而，当增加栅极结构宽度尺寸的同时也会产生其他的问题，使得最终形成的半导体结构的性能降低。因此，现有技术中形成的半导体结构的性能仍有待提升。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，能够有效提升最终形成的半导体结构的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底包括第一区；位于所述第一区上的若干第一鳍部结构，所述第一鳍部结构包括沿第一方向平行排布的第一鳍部和第二鳍部、以及沿第二方向平行排布的第三鳍部和第四鳍部，所述第一方向和所述第二方向垂直，所述第三鳍部连接所述第一鳍部和所述第二鳍部的一侧端部，所述第四鳍部连接所述第一鳍部和所述第二鳍部的另一侧端部；位于所述衬底上的第一栅极结构，所述第一栅极结构沿所述第一方向横跨所述第一鳍部和所述第二鳍部，所述第三鳍部和所述第四鳍部分别位于所述第一栅极结构的两侧；位于所述第一栅极结构两侧的第一鳍部结构内的第一源漏开口；位于所述第一源漏开口内的第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层内具有第一源漏离子。

可选的，所述第一鳍部和所述第二鳍部沿所述第二方向上具有第一尺寸，所述第一尺寸的范围为100nm～700nm。

可选的，所述第三鳍部和所述第四鳍部沿所述第一方向上具有第二尺寸，所述第二尺寸的范围为10nm～50nm。

可选的，所述第一源漏离子包括：N型离子或P型离子；所述N型离子包括：磷或砷；所述P型离子包括：硼或铟。

可选的，所述衬底还包括第二区，所述第一区和所述第二区沿所述第一方向平行排布。

可选的，还包括：位于所述第二区上的若干沿所述第一方向平行排布的第二鳍部结构。

可选的，还包括：位于所述衬底上的第二栅极结构，所述第二栅极结构横跨所述第二鳍部结构，且所述第二栅极结构覆盖所述第二鳍部结构的部分侧壁和顶部表面。

可选的，所述第一栅极结构具有第一宽度尺寸，所述第二栅极结构具有第二宽度尺寸，所述第一宽度尺寸大于所述第二宽度尺寸，所述第一宽度尺寸和所述第二宽度尺寸的方向沿所述第二方向。