[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括第一区；

位于所述第一区上的若干第一鳍部结构，所述第一鳍部结构包括沿第一方向平行排布的第一鳍部和第二鳍部、以及沿第二方向平行排布的第三鳍部和第四鳍部，所述第一方向和所述第二方向垂直，所述第三鳍部连接所述第一鳍部和所述第二鳍部的一侧端部，所述第四鳍部连接所述第一鳍部和所述第二鳍部的另一侧端部；

位于所述衬底上的第一栅极结构，所述第一栅极结构沿所述第一方向横跨所述第一鳍部和所述第二鳍部，所述第三鳍部和所述第四鳍部分别位于所述第一栅极结构的两侧；

位于所述第一栅极结构两侧的第一鳍部结构内的第一源漏开口；

位于所述第一源漏开口内的第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层内具有第一源漏离子。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一鳍部和所述第二鳍部沿所述第二方向上具有第一尺寸，所述第一尺寸的范围为100nm～700nm。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三鳍部和所述第四鳍部沿所述第一方向上具有第二尺寸，所述第二尺寸的范围为10nm～50nm。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一源漏离子包括：N型离子或P型离子；所述N型离子包括：磷或砷；所述P型离子包括：硼或铟。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底还包括第二区，所述第一区和所述第二区沿所述第一方向平行排布。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第二区上的若干沿所述第一方向平行排布的第二鳍部结构。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的第二栅极结构，所述第二栅极结构横跨所述第二鳍部结构，且所述第二栅极结构覆盖所述第二鳍部结构的部分侧壁和顶部表面。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构具有第一宽度尺寸，所述第二栅极结构具有第二宽度尺寸，所述第一宽度尺寸大于所述第二宽度尺寸，所述第一宽度尺寸和所述第二宽度尺寸的方向沿所述第二方向。

9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区；

在所述第一区上形成若干第一鳍部结构，所述第一鳍部结构包括沿第一方向平行排布的第一鳍部和第二鳍部、以及沿第二方向平行排布的第三鳍部和第四鳍部，所述第一方向和所述第二方向垂直，所述第三鳍部连接所述第一鳍部和所述第二鳍部的一侧端部，所述第四鳍部连接所述第一鳍部和所述第二鳍部的另一侧端部；

在所述衬底上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构沿所述第一方向横跨所述第一鳍部和所述第二鳍部，所述第三鳍部和所述第四鳍部分别位于所述第一栅极结构的两侧；

在所述第一栅极结构两侧的第一鳍部结构内形成第一源漏开口；

在所述第一源漏开口内形成第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层内具有第一源漏离子。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底还包括第二区，所述第一区和所述第二区沿所述第一方向平行排布。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一鳍部结构的过程中，还包括：在所述第二区上形成若干沿所述第一方向平行排布的第二鳍部结构。