[发明专利]使用光伏源极的晶体管的反向本体偏置

权利要求书

1.一种电路，包括：

金属氧化物半导体MOS晶体管，具有源极端子、漏极端子、栅极端子和本体端子；

其中所述源极端子被连接以接收电源电压；以及

光伏电路，具有被连接到所述MOS晶体管的所述源极端子的第一端子以及被连接到所述MOS晶体管的所述本体端子的第二端子，其中所述光伏电路转换接收到的光子以生成被施加到所述MOS晶体管的所述本体端子的反向本体偏置电压。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述MOS晶体管是p沟道晶体管，所述电源电压是正电压Vdd，并且所述反向本体偏置电压是更正的电压VddsVdd。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述p沟道MOS晶体管是数字逻辑门的电路部件。

4.根据权利要求1所述的电路，其中所述MOS晶体管是n沟道晶体管，所述电源电压是接地电压Gnd，并且所述反向本体偏置电压是更负的电压GndsGnd。

5.根据权利要求4所述的电路，其中所述n沟道MOS晶体管是数字逻辑门的电路部件。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述光伏电路包括光伏二极管，其中所述第一端子是所述光伏二极管的阴极，并且所述第二端子是所述光伏二极管的阳极。

7.根据权利要求1所述的电路，其中所述光伏电路包括光伏二极管，其中所述第一端子是所述光伏二极管的阳极，并且所述第二端子是所述光伏二极管的阴极。

8.根据权利要求1所述的电路，其中所述光伏电路包括在电路网络中电连接的多个光伏二极管，其中所述第一端子是所述多个光伏二极管中至少一个光伏二极管的阴极，并且所述第二端子是至少一个所述光伏二极管的阳极。

9.根据权利要求8所述的电路，其中所述电路网络是所述多个光伏二极管的并联电连接。

10.根据权利要求8所述的电路，其中所述电路网络是所述多个光伏二极管的串联电连接。

11.根据权利要求1所述的电路，其中所述光伏电路包括在电路网络中电连接的多个光伏二极管，其中所述第一端子是所述多个光伏二极管中至少一个光伏二极管的阳极，并且所述第二端子是至少一个所述光伏二极管的阴极。

12.根据权利要求11所述的电路，其中所述电路网络是所述多个光伏二极管的并联电连接。

13.根据权利要求11所述的电路，其中所述电路网络是所述多个光伏二极管的串联电连接。

14.根据权利要求1所述的电路，还包括成像电路，其中所述成像电路包括像素的阵列，其中所述阵列的第一像素形成光电检测器的阵列，并且其中所述阵列的第二像素形成所述光伏电路。

15.根据权利要求14所述的电路，其中所述第二像素被布置在环形区域中，所述环形区域围绕形成所述光电检测器的阵列的所述第一像素。

16.根据权利要求14所述的电路，其中每个第二像素由光伏二极管形成，其中所述第一端子是所述光伏二极管的阴极，并且所述第二端子是所述光伏二极管的阳极。

17.根据权利要求14所述的电路，其中每个第二像素由光伏二极管形成，其中所述第一端子是所述光伏二极管的阳极，并且所述第二端子是所述光伏二极管的阴极。

18.根据权利要求14所述的电路，所述电路被实现为成像集成电路。

19.根据权利要求1所述的电路，所述电路被实现为集成电路。