[发明专利]一种亚波长介质光栅滤光片、液晶显示设备及其制备方法

说明书

本发明涉及光栅结构的领域，特别涉及一种亚波长介质光栅滤光片、液晶显示设备及其制备方法，包括：氧化硅隔离层，置于已封装完成后的驱动电路基板上；以及介质光栅层，置于所述隔离层上，且被配置为由高折射率介质经过光刻和刻蚀后得到，其中所述介质光栅层被配置为呈周期性图案。本发明利用高折射率介质周期性图案光栅的共振现象，介质比金属透光性更好，亮度更高。

技术领域

本发明涉及光栅结构的领域，特别涉及一种亚波长介质光栅滤光片、液晶显示设备及其制备方法。

背景技术

现有技术中关于该种滤光片公开了一种利用表面等离子体的滤色器、液晶显示设备及其制造方法，其滤色器包括：金属层；以及在该金属层中形成的透射图案，该透射图案包括多个具有周期的亚波长孔，其中通过利用表面等离子体选择性地透射特定波长的光来输出所希望的颜色的光，并且所述多个亚波长孔排列成三角形点阵，该三角形点阵具有预定数量的与中心孔最相邻的孔。

现有技术中的方案采用金属圆孔设计，透光性差，利用表面等离子体效应。

发明内容

本发明提出一种亚波长介质光栅滤光片、液晶显示设备及其制备方法，该亚波长介质光栅滤光片、液晶显示设备及其制备方法利用高折射率介质周期性图案光栅的共振现象，介质比金属透光性更好，亮度更高。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种亚波长介质光栅滤光片，所述亚波长介质光栅滤光片包括：氧化硅隔离层，置于已封装完成后的驱动电路基板上；以及介质光栅层，置于所述隔离层上，且被配置为由高折射率介质经过光刻和刻蚀后得到，其中所述介质光栅层被配置为呈周期性图案。

优选地，所述高折射率介质被配置为通过下述任意一种材料的沉积形成：多晶硅、非晶硅、氧化铪、氮化硅、氮氧化硅、五氧化二钽、二氧化锆。

优选地，所述周期性图案包括以下阵列中任意一者：六边形阵列、正方形阵列；并且，所述介质光栅层上的孔被配置为以下形状中任意一者：圆形、三角形、正方形、十字形。

另外，本发明提供一种亚波长介质光栅滤光片的制备方法，所述亚波长介质光栅滤光片的制备方法包括：在封装完成后的驱动电路基板上沉积氧化硅隔离层；在所述氧化硅隔离层上沉积高折射率介质；以及对所述高折射率介质进行光刻和刻蚀，以得到亚波长介质光栅滤光片。

优选地，所述在所述氧化硅隔离层上沉积高折射率介质包括：在所述氧化硅隔离层上沉积下述任意一者：多晶硅、非晶硅、氧化铪、氮化硅、氮氧化硅、五氧化二钽、二氧化锆。

另外，本发明提供一种液晶显示设备，所述液晶显示设备包括上述的亚波长介质光栅滤光片。

相对于现有技术，本发明通过采用透光率高，折射率高的介质周期性图案光栅结构，利用光在高折射率介质光栅的光学共振现象，不同大小、图形、阵列结构透射波长不同，达到选择特定波长透过的目的，实现滤光片的作用。从而解决传统染料掺杂滤光片工艺复杂，不满足更高分辨率要求，工艺兼容性不好的问题。

本发明的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施方式及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明的亚波长介质光栅滤光片的结构示意图；

图2为本发明的亚波长介质光栅滤光片为圆孔六边形阵列的俯视图；

图3为本发明的亚波长介质光栅滤光片为圆孔正方形阵列的俯视图；

图4为本发明的亚波长介质光栅滤光片为三角形孔六边形阵列的俯视图；

图5为本发明的亚波长介质光栅滤光片为正方形孔六边形阵列的俯视图。