[发明专利]用于调节等离子体切割速率的方法和系统

权利要求书

1.一种半导体晶片，所述半导体晶片具有布置成网格图案的多个半导体装置管芯，其特征在于，所述半导体晶片包括：

第一半导体装置管芯，所述第一半导体装置管芯与第二半导体装置管芯相邻，且通过第一切割槽与所述第二半导体装置管芯分离；

第三半导体装置管芯，所述第三半导体装置管芯与所述第一半导体装置管芯相邻，且通过第二切割槽与所述第一半导体装置管芯分离，其中所述第一切割槽和所述第二切割槽在相交区域处相交且基本上垂直；

第四半导体装置管芯，其中

所述第四半导体装置管芯与所述第二半导体装置管芯相邻，且通过所述第二切割槽与所述第二半导体装置管芯分离，并且

所述第四半导体装置管芯与所述第三半导体装置管芯相邻，且通过所述第一切割槽与所述第三半导体装置管芯分离；

第一导体，所述第一导体包括：

所述第一导体的第一部分，所述第一部分从所述第一半导体装置管芯的一侧延伸到所述第一切割槽中且向所述第二半导体装置管芯延伸，进入所述第二半导体装置管芯，且延伸到所述第二半导体装置管芯的密封环区域中，

所述第一导体的第二部分，所述第二部分从所述第二半导体装置管芯的一侧延伸到所述第二切割槽中且向所述第四半导体装置管芯延伸，进入所述第四半导体装置管芯，且延伸到所述第四半导体装置管芯的密封环区域中，

所述第一导体的第三部分，所述第三部分从所述第四半导体装置管芯的一侧延伸到所述第一切割槽中且向所述第三半导体装置管芯延伸，进入所述第三半导体装置管芯，且延伸到所述第三半导体装置管芯的密封环区域中，

所述第一导体的第四部分，所述第四部分从所述第三半导体装置管芯的一侧延伸到所述第二切割槽中且向所述第一半导体装置管芯延伸，进入所述第一半导体装置管芯，且延伸到所述第一半导体装置管芯的密封环区域中，其中

所述第一导体接近形成所述相交区域的所述第一、第二、第三和第四半导体装置管芯的拐角而形成。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于，所述第一导体在所述第一导体的所述第一、第二、第三和第四部分之间形成电路。

3.根据权利要求2所述的半导体晶片，其特征在于，所述第一导体由实施于所述半导体晶片上的一个或多个金属层中的第一金属层形成。

4.根据权利要求2所述的半导体晶片，其特征在于，

所述第一导体的所述第一部分由实施于所述半导体晶片上的一个或多个金属层中的第一金属层形成；

所述第一导体的第二、第三和第四部分中的一个或多个由所述一个或多个金属层中的第二金属层形成；并且

所述第二金属层是与所述第一金属层不同的金属层。

5.根据权利要求2所述的半导体晶片，其特征在于，另外包括：

导电垫，所述导电垫在所述第一半导体装置管芯的表面上，其中所述导电垫以电气方式耦合到所述第一导体的所述第一部分；以及

电路，所述电路在所述第一半导体装置管芯中，其中所述电路以电气方式耦合到所述第一导体的所述第四部分。

6.根据权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于，所述第一导体被配置成在所述第一、第二、第三和第四半导体装置管芯的等离子体切割期间减小所述相交区域中的等离子体蚀刻速率。