[发明专利]一种晶圆系统级扇出型封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种晶圆系统级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成重新布线层，所述重新布线层包括相对设置的第一面与第二面；

提供至少一贴片元件，将所述贴片元件接合于所述重新布线层的第二面上；

提供至少一正面设有凸块的裸片，将所述裸片正面接合于所述重新布线层的第二面上；

形成塑封层于所述重新布线层的第二面上，所述塑封层覆盖所述贴片元件及所述裸片。

2.根据权利要求1所述的晶圆系统级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：提供第一载体，形成释放层于所述第一载体上，其中，所述重新布线层形成于释放层上，所述重新布线层的第一面与所述释放层连接。

3.根据权利要求2所述的晶圆系统级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：

提供第二载体，将所述第二载体接合于所述塑封层上；

去除所述第一载体及所述释放层以暴露出所述重新布线层的第一面。

4.根据权利要求3所述的晶圆系统级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：

形成凸点下金属层于所述重新布线层的第一面上；

形成焊料凸点于所述凸点下金属层上；

去除所述第二载体。

5.根据权利要求1或4所述的晶圆系统级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：切割所述重新布线层及所述塑封层，得到多个芯片。

6.根据权利要求1所述的晶圆系统级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：形成底部填充层于所述裸片与所述重新布线层之间的间隙中。

7.根据权利要求1所述的晶圆系统级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：所述重新布线层包括在垂直方向上堆叠的至少一层介质层及至少一层金属布线层。

8.根据权利要求1所述的晶圆系统级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：所述贴片元件包括被动元件。

9.一种晶圆系统级扇出型封装结构，其特征在于，包括：

重新布线层，所述重新布线层包括相对设置的第一面与第二面；

至少一贴片元件，所述贴片元件接合于所述重新布线层的第二面上；

至少一正面设有凸块的裸片，所述裸片正面接合于所述重新布线层的第二面上；

塑封层，位于所述重新布线层的第二面上，所述塑封层覆盖所述贴片元件及所述裸片。

10.根据权利要求9所述的晶圆系统级扇出型封装结构，其特征在于：还包括凸点下金属层及焊料凸点，所述凸点下金属层位于所述重新布线层的第一面上，所述焊料凸点接合于所述凸点下金属层上。

11.根据权利要求9所述的晶圆系统级扇出型封装结构，其特征在于：还包括底部填充层，所述底部填充层位于所述裸片与所述重新布线层之间的间隙中。

12.根据权利要求9所述的晶圆系统级扇出型封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括在垂直方向上堆叠的至少一层介质层及至少一层金属布线层。

13.根据权利要求9所述的晶圆系统级扇出型封装结构，其特征在于：所述贴片元件包括被动元件。