[发明专利]半导体封装件

说明书

一种半导体封装件，包括：基底芯片；第一半导体芯片，其设置在基底芯片上；第二半导体芯片，其设置在第一半导体芯片上；第一绝缘层，其设置在基底芯片和第一半导体芯片之间；第二绝缘层，其设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间；第一连接凸块，其穿透第一绝缘层并将基底芯片和第一半导体芯片彼此连接；以及第二连接凸块，其穿透第二绝缘层并将第一半导体芯片和第二半导体芯片彼此连接。基底芯片的宽度大于第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每一个的宽度。第一绝缘层和第二绝缘层包括彼此不同的材料。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2019年11月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0153981的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开涉及半导体封装件。

背景技术

由于电子工业的快速发展和用户需求，电子装置持续变得越来越小和越来越轻。半导体封装件是包含一个或多个分立半导体器件或集成电路的外壳。然而，在电子装置中使用的半导体封装件不仅需要小型化和轻量化，而且需要高效并具有更高的容量。为此，已经对包括穿硅过孔(through-silicon via,TSV)和堆叠半导体封装件的半导体芯片进行了持续的研究和开发。然而，堆叠半导体封装件可能难以散热，这可能导致器件故障。

发明内容

本发明构思的至少一个示例实施例提供一种半导体封装件，该半导体封装件具有改善的散热特性，并且可以更容易地制造该半导体封装件以提高制造生产率。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体封装件包括：基底芯片；第一半导体芯片，其设置在所述基底芯片上；第二半导体芯片，其设置在所述第一半导体芯片上；第一绝缘层，其设置在所述基底芯片和所述第一半导体芯片之间；第二绝缘层，其设置在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间；第一连接凸块，其穿透所述第一绝缘层并将所述基底芯片和所述第一半导体芯片彼此连接；以及第二连接凸块，其穿透所述第二绝缘层并将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片彼此连接。所述基底芯片的宽度大于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的每一个的宽度。所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括彼此不同的材料。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体封装件包括：基底芯片；第一半导体芯片；多个第二半导体芯片，其在与所述第一半导体芯片的上表面垂直的方向上堆叠在所述第一半导体芯片上；第一绝缘层，其位于所述基底芯片和所述第一半导体芯片之间；多个第二绝缘层，其在所述多个第二半导体芯片中的每一个的下表面上；第一连接凸块，其穿透所述第一绝缘层并将所述基底芯片和所述第一半导体芯片彼此电连接；以及多个第二连接凸块，其分别穿透所述多个第二绝缘层，并且将所述第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片彼此电连接。所述第一绝缘层具有与所述第一半导体芯片相同的宽度。所述多个第二绝缘层中的每一个的宽度大于所述第一半导体芯片的宽度。所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括彼此不同的材料。