[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

基底芯片；

第一半导体芯片，其设置在所述基底芯片上；

第二半导体芯片，其设置在所述第一半导体芯片上；

第一绝缘层，其设置在所述基底芯片和所述第一半导体芯片之间；

第二绝缘层，其设置在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间；

第一连接凸块，其穿透所述第一绝缘层并将所述基底芯片和所述第一半导体芯片彼此连接；以及

第二连接凸块，其穿透所述第二绝缘层并将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片彼此连接，

其中，所述基底芯片的宽度大于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的每一个的宽度，并且

所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括彼此不同的材料。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一绝缘层是氧化硅层，并且

所述第二绝缘层是非导电膜。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一绝缘层的侧表面与所述第一半导体芯片的侧表面共面，并且

所述第二绝缘层的侧表面比所述第一半导体芯片的所述侧表面和所述第二半导体芯片的侧表面更向外突出。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片具有与所述第二半导体芯片相同的宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述基底芯片包括基底主体、设置在所述基底主体的上表面上的基底上连接焊盘、以及穿透所述基底主体并连接到所述基底上连接焊盘的基底贯通电极，

所述第一半导体芯片包括第一芯片主体、分别设置在所述第一芯片主体的下表面和上表面上的第一下连接焊盘和第一上连接焊盘、以及穿透所述第一芯片主体并将所述第一下连接焊盘和所述第一上连接焊盘彼此连接的第一贯通电极，

所述第二半导体芯片包括第二芯片主体、分别设置在所述第二芯片主体的下表面和上表面上的第二下连接焊盘和第二上连接焊盘、以及穿透所述第二芯片主体并将所述第二下连接焊盘和所述第二上连接焊盘彼此连接的第二贯通电极，

所述第一连接凸块将所述基底上连接焊盘和所述第一下连接焊盘彼此连接，并且

所述第二连接凸块将所述第一上连接焊盘和所述第二下连接焊盘彼此连接。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件，还包括至少一个其它基底上连接焊盘，使得在所述基底芯片中存在彼此间隔开的多个基底上连接焊盘；和至少一个其它第一下连接焊盘，使得在所述第一半导体芯片中存在彼此间隔开的多个第一下连接焊盘，

还包括至少一个其它第一连接凸块，使得在所述第一绝缘层中存在多个第一连接凸块，所述多个第一连接凸块分别对应于所述多个基底上连接焊盘和所述多个第一下连接焊盘，以及

其中，所述多个第一连接凸块之间的间距为10微米或更小。

7.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述第一芯片主体的所述下表面与所述第一下连接焊盘的下表面共面，

所述第一芯片主体的所述上表面与所述第一上连接焊盘的上表面共面，

所述第二芯片主体的所述下表面与所述第二下连接焊盘的下表面共面，并且

所述第二芯片主体的所述上表面与所述第二上连接焊盘的上表面共面。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括至少一个其它第一半导体芯片，使得在与所述基底芯片的上表面垂直的方向上堆叠多个第一半导体芯片，

还包括至少一个其它第二半导体芯片，使得在与所述第一半导体芯片的上表面垂直的方向上堆叠多个第二半导体芯片，

所述第一绝缘层还包括一个或多个第一绝缘层，所述一个或多个第一绝缘层中的每一个设置在所述多个第一半导体芯片之间，

所述第二绝缘层还包括一个或多个第二绝缘层，所述一个或多个第二绝缘层中的每一个设置在所述多个第二半导体芯片之间，以及

所述多个第一半导体芯片的数量小于所述多个第二半导体芯片的数量。