[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体结构，所述半导体结构包括介质层，所述介质层上具有沟槽；

在所述介质层上共形地形成第一材料层，所述第一材料层在所述沟槽内形成第一凹槽；

调整对所述半导体结构刻蚀时的入射角度，并根据所述入射角度进行刻蚀以扩大所述第一凹槽的开口，形成第二凹槽；以及

形成填充所述第二凹槽的第二材料层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀为等离子体刻蚀，所述等离子体由位于所述半导体结构上方的上电极射向位于所述半导体结构下方的下电极，调整对所述半导体结构刻蚀时的入射角度，并根据所述入射角度进行刻蚀以扩大所述第一凹槽的开口的步骤包括：

调整所述下电极相对于水平方向的倾斜角度，使得所述等离子体在所述上电极和所述下电极之间入射所述半导体结构时的角度为所述入射角度；以及

按照所述入射角度，对所述半导体结构进行刻蚀以扩大所述第一凹槽的开口。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀为等离子体刻蚀，所述等离子体由位于所述半导体结构上方的上电极射向位于所述半导体结构下方的下电极，调整对所述半导体结构刻蚀时的入射角度，并根据所述入射角度进行刻蚀以扩大所述第一凹槽的开口的步骤包括：

调整所述半导体结构相对于水平方向的倾斜角度，使得所述等离子体在所述上电极和所述下电极之间入射所述半导体结构时的角度为所述入射角度；以及

按照所述入射角度，对所述半导体结构进行刻蚀以扩大所述第一凹槽的开口。

4.根据权利要求2或3所述的制作方法，其特征在于，按照所述入射角度，对所述半导体结构进行刻蚀以扩大所述第一凹槽的开口的步骤包括：

按照所述入射角度入射所述等离子体，并以位于竖直方向上的一条直线为轴旋转所述半导体结构和/或以位于竖直方向上的一条直线为轴旋转所述下电极，以对所述半导体结构进行刻蚀。

5.根据权利要求1至3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第二凹槽开口处的至少一部分的开口宽度大于所述第一凹槽的开口宽度。

6.根据权利要求1至3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第一材料层和/或所述第二材料层的材料包括氧化硅。

7.根据权利要求1至3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述沟槽的深宽比为1至4。

8.根据权利要求1至3任一项所述的制作方法，其特征在于，形成填充所述第二凹槽的所述第二材料层之后，还包括对所述半导体器件进行平坦化。

9.根据权利要求1至3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述半导体器件为三维存储器。

10.一种半导体器件的刻蚀设备，其特征在于，包括：

上电极；

相对地设于所述上电极下方的下电极；以及

设于所述上电极和所述下电极之间的承载台，用于承载所述半导体器件；

其中，所述下电极适于改变相对于水平方向的倾斜角度，和/或，

所述承载台适于改变相对于水平方向的倾斜角度。

11.根据权利要求10所述的刻蚀设备，其特征在于，所述承载台和/或所述下电极还适于以位于竖直方向上的一条直线为轴进行旋转。

12.一种半导体器件，其特征在于，包括：

介质层，所述介质层上具有沟槽；

覆盖所述介质层的第一材料层，所述第一材料层在对应所述沟槽内具有凹槽；以及

填充所述凹槽的第二材料层；

其中，所述半导体器件由权利要求1-9任一项所述的半导体器件的制作方法获得。