[发明专利]电容压力传感器及其制备方法

说明书

本发明涉及一种电容压力传感器及其制备方法，包括：将基体衬底形成有绝缘介质层的一面与键合衬底键合，基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构；在基体衬底上形成与基体衬底电连接的第一电极，在键合衬底上形成与键合衬底电连接的第二电极；其中，基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板。本申请将基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板，处于第一极板和第二极板之间的空腔结构可充当电容压力传感器两个电极之间的电介质材料，与现有技术相比，本申请制备电容压力传感器的工艺简单，且便于批量生产。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种电容压力传感器及其制备方法。

背景技术

电容压力传感器是电容值随受到的压力改变的半导体器件。传统的电容压力传感器制备工艺复杂。

发明内容

基于此，有必要针对传统技术中电容压力传感器的制备工艺复杂的问题，提供一种新的电容压力传感器及其制备方法。

一种电容压力传感器的制备方法，包括：将基体衬底形成有绝缘介质层的一面与键合衬底键合，所述基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构；在所述基体衬底上形成与所述基体衬底电连接的第一电极，在所述键合衬底上形成与所述键合衬底电连接的第二电极；其中，所述基体衬底作为所述电容压力传感器的第一极板，所述键合衬底作为所述电容压力传感器的第二极板。

在其中一个实施例中，在所述基体衬底上形成与所述基体衬底电连接的第一电极的步骤之前，还包括在单晶硅材料的所述基体衬底中形成第一掺杂区的步骤和在单晶硅材料的所述键合衬底中形成第二掺杂区的步骤；所述第一极板包括所述第一掺杂区，所述第二极板包括所述第二掺杂区。

在其中一个实施例中，所述将基体衬底形成有绝缘介质层的一面与键合衬底键合，所述基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构的步骤包括：在基体衬底上形成绝缘介质层薄膜；刻蚀所述绝缘介质层薄膜，使所述基体衬底形成有绝缘介质层薄膜的一面部分露出，得到绝缘介质层；将所述基体衬底形成有绝缘介质层的一面与键合衬底键合，所述基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构。

在其中一个实施例中，键合在所述基体衬底上的键合衬底包括相互分离的第一键合衬底和第二键合衬底，所述空腔结构包括位于所述第一键合衬底和基体衬底之间的第一空腔结构，和位于所述第二键合衬底和基体衬底之间的第二空腔结构，所述第一空腔结构的体积大于所述第二空腔结构的体积。

在其中一个实施例中，所述在所述基体衬底上形成与所述基体衬底电连接的第一电极，在所述键合衬底上形成与所述键合衬底电连接的第二电极的步骤包括：形成覆盖所述键合衬底和所述绝缘介质层的绝缘介质薄膜；刻蚀所述绝缘介质薄膜，形成露出所述第一掺杂区的第一通孔，和露出所述第二掺杂区的第二通孔；在所述第一通孔中形成第一电极，所述第二通孔中形成第二电极。

上述电容压力传感器的制备方法，将基体衬底形成有绝缘介质层的一面与键合衬底键合后，在基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构；可以将基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板，处于第一极板和第二极板之间的空腔结构可充当电容压力传感器两个电极之间的电介质材料，与现有技术相比，本申请制备电容压力传感器的工艺简单，且便于批量生产。

一种电容压力传感器，包括：基体衬底；绝缘介质层，位于所述基体衬底上；键合衬底，与所述基体衬底形成有绝缘介质层的一面键合连接；第一电极，设于所述基体衬底上并与所述基体衬底电连接；第二电极，设于所述键合衬底上并与所述键合衬底电连接；其中，所述基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构，所述基体衬底作为所述电容压力传感器的第一极板，所述键合衬底作为所述电容压力传感器的第二极板。