[发明专利]电容压力传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种电容压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：

将基体衬底形成有绝缘介质层的一面与键合衬底键合，所述基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构；

在所述基体衬底上形成与所述基体衬底电连接的第一电极，在所述键合衬底上形成与所述键合衬底电连接的第二电极；

其中，所述基体衬底作为所述电容压力传感器的第一极板，所述键合衬底作为所述电容压力传感器的第二极板。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述基体衬底上形成与所述基体衬底电连接的第一电极的步骤之前，还包括在单晶硅材料的所述基体衬底中形成第一掺杂区的步骤和在单晶硅材料的所述键合衬底中形成第二掺杂区的步骤；所述第一极板包括所述第一掺杂区，所述第二极板包括所述第二掺杂区。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述将基体衬底形成有绝缘介质层的一面与键合衬底键合，所述基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构的步骤包括：

在基体衬底上形成绝缘介质层薄膜；

刻蚀所述绝缘介质层薄膜，使所述基体衬底形成有绝缘介质层薄膜的一面部分露出，得到绝缘介质层；

将所述基体衬底形成有绝缘介质层的一面与键合衬底键合，所述基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，键合在所述基体衬底上的键合衬底包括相互分离的第一键合衬底和第二键合衬底，所述空腔结构包括位于所述第一键合衬底和基体衬底之间的第一空腔结构，和位于所述第二键合衬底和基体衬底之间的第二空腔结构，所述第一空腔结构的体积大于所述第二空腔结构的体积。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述基体衬底上形成与所述基体衬底电连接的第一电极，在所述键合衬底上形成与所述键合衬底电连接的第二电极的步骤包括：

形成覆盖所述键合衬底和所述绝缘介质层的绝缘介质薄膜；

刻蚀所述绝缘介质薄膜，形成露出所述第一掺杂区的第一通孔，和露出所述第二掺杂区的第二通孔；

在所述第一通孔中形成第一电极，所述第二通孔中形成第二电极。

6.一种电容压力传感器，其特征在于，包括：

基体衬底；

绝缘介质层，位于所述基体衬底上；

键合衬底，与所述基体衬底形成有绝缘介质层的一面键合连接；

第一电极，设于所述基体衬底上并与所述基体衬底电连接；

第二电极，设于所述键合衬底上并与所述键合衬底电连接；

其中，所述基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构，所述基体衬底作为所述电容压力传感器的第一极板，所述键合衬底作为所述电容压力传感器的第二极板。

7.根据权利要求6所述的电容压力传感器，其特征在于，还包括：

第一掺杂区，位于所述基体衬底中，且位于所述绝缘介质层的下方；

第二掺杂区，位于所述键合衬底中，且靠近所述绝缘介质层；

其中，所述第一极板包括所述第一掺杂区，所述第二极板包括所述第二掺杂区。

8.根据权利要求6所述的电容压力传感器，其特征在于，还包括：

绝缘介质薄膜，覆盖所述键合衬底和所述绝缘介质层；

其中，所述第一电极贯穿所述绝缘介质薄膜和所述绝缘介质层与所述基体衬底电连接，所述第二电极贯穿所述绝缘介质薄膜与所述键合衬底电连接。

9.根据权利要求6所述的电容压力传感器，其特征在于，所述键合衬底包括相互分离的第一键合衬底和第二键合衬底，所述空腔结构包括位于所述第一键合衬底和基体衬底之间的第一空腔结构，和位于所述第二键合衬底和基体衬底之间的第二空腔结构，所述第一空腔结构的体积大于所述第二空腔结构的体积，所述第一键合衬底作为可变电容的第二极板，所述第二键合衬底作为参考电容的第二极板。

10.根据权利要求9所述的电容压力传感器，其特征在于，每个所述参考电容对应的第二空腔结构包括至少两个子空腔。