[发明专利]显示面板的屏内传感器件结构及显示装置在审
| 申请号: | 202011298860.X | 申请日: | 2020-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN112466915A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
| 发明(设计)人: | 陆磊;张盛东;王鹏飞;王云萍;廖聪维;周晓梁 | 申请(专利权)人: | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15 |
| 代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 郭燕 |
| 地址: | 518055 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 传感 器件 结构 显示装置 | ||
一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置,衬底以及位于衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层,第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层分别位于不同层;第二控制薄膜晶体管层中具有第二控制薄膜晶体管以及传感器件晶体管,传感器件晶体管用于感应外部环境信息。由于将显示器件和传感器件做在同一背板上,并将两种器件的控制TFT设计在不同层内,使传感器件自身及其控制TFT都有足够版图布置面积,同时还将独立的传感器件替换为具有其相同功能的薄膜晶体管,使得原本至少为两层的光感器件层和光感器件控制TFT层简化为一层,大大的减少了屏内光感传感器工艺流程,降低屏内光感应用的工艺成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置。
背景技术
基于TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)阵列的平板显示技术是当今显示技术的主流,这主要是因为TFT的加工工艺相对简单,工艺成本低廉,适合于大面积生产。随着TFT平板显示技术的发展,越来越多的显示驱动及其它功能模块可能采用TFT集成电路实现。将行列驱动电路、电源电路、光电传感电路等以TFT为主要元件制作从而集成于显示面板上,能够形成屏上SoP(System on Panel,系统集成)。例如,在显示面板中集成光学传感器以实现光学指纹识别功能。
在传统的显示面板的传感技术中,显示指纹识别的显示面板,多为屏下结构,即显示器件发射光照到指纹,指纹反射光被屏下感光器件识别,显示器件和传感器件需各自加工,之后用OCA胶(Optically Clear Adhesive,光学胶)将显示器件层和传感器件层贴合,工艺复杂且只能用在OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管显示面板)上。现有技术中,提出一种屏内结构的传感器件,其将显示器件和传感器件做在同一衬底上,较传统技术能够适当降低工艺的复杂性,但由于该技术中显示器件和传感器件做在同一衬底上时,显示器件的控制TFT和传感器件的控制TFT位于同一层内,受实际版图布线面积的制约,使得显示器件的控制TFT和传感器件的控制TFT的电路设计受到限制,无法实现应有效果,从而,现有技术中的屏内传感器件不仅受布线面积限制,应用受限,而且工艺较复杂。
因此,需要提供一种应用在显示面板中的传感器结构或方法,能够降低工艺复杂性的同时,还能够使得显示器件能够更好地实际应用。
发明内容
本发明提供一种显示面板的屏内传感器件结构,降低其工艺复杂性的同时,降低屏内传感器件因受工艺及布线的限制。
根据第一方面,一种实施例中提供一种显示面板的屏内传感器件结构,包括:
衬底;
以及位于所述衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层,所述第一控制薄膜晶体管层和所述第二控制薄膜晶体管层分别位于不同层;
所述第一控制薄膜晶体管层中具有第一控制薄膜晶体管,所述第一控制薄膜晶体管上连接有显示器件,所述显示器件用于显示信息,所述第一控制薄膜晶体管用于控制所述显示器件;
所述第二控制薄膜晶体管层中具有第二控制薄膜晶体管以及传感器件晶体管,所述传感器件晶体管用于感应外部环境信息,并将外部环境信息转化为电信号,第二控制薄膜晶体管与所述传感器件晶体管连接,且所述第二控制薄膜晶体管用于控制所述传感器件晶体管。
一些实施例中,所述传感器件晶体管的有源层为光敏材料。
一些实施例中,所述传感器件晶体管还包括压力敏感材料或温度敏感材料,且所述压力敏感材料与所述传感器件晶体管的栅极或者沟道信号连接。
一些实施例中,所述传感器件晶体管的栅极和/或所述第二控制薄膜晶体管的栅极为顶栅结构、底栅结构、单栅结构或双栅结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





