[发明专利]显示面板的屏内传感器件结构及显示装置在审
| 申请号: | 202011298860.X | 申请日: | 2020-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN112466915A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
| 发明(设计)人: | 陆磊;张盛东;王鹏飞;王云萍;廖聪维;周晓梁 | 申请(专利权)人: | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15 |
| 代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 郭燕 |
| 地址: | 518055 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 传感 器件 结构 显示装置 | ||
1.一种显示面板的屏内传感器件结构,其特征在于,包括:
衬底;
以及位于所述衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层,所述第一控制薄膜晶体管层和所述第二控制薄膜晶体管层分别位于不同层;
所述第一控制薄膜晶体管层中具有第一控制薄膜晶体管,所述第一控制薄膜晶体管上连接有显示器件,所述显示器件用于显示信息,所述第一控制薄膜晶体管用于控制所述显示器件;
所述第二控制薄膜晶体管层中具有第二控制薄膜晶体管以及传感器件晶体管,所述传感器件晶体管用于感应外部环境信息,并将外部环境信息转化为电信号,第二控制薄膜晶体管与所述传感器件晶体管连接,且所述第二控制薄膜晶体管用于控制所述传感器件晶体管。
2.如权利要求1所述的屏内传感器件结构,其特征在于,所述传感器件晶体管的有源层为光敏材料。
3.如权利要求2所述的屏内传感器件结构,其特征在于,所述传感器件晶体管还包括压力敏感材料或温度敏感材料,且所述压力敏感材料或所述温度敏感材料与所述传感器件晶体管的栅极或者沟道信号连接。
4.如权利要求3所述的屏内传感器件结构,其特征在于,所述传感器件晶体管的栅极和/或所述第二控制薄膜晶体管的栅极为顶栅结构、底栅结构、单栅结构或双栅结构。
5.如权利要求2所述的屏内传感器件结构,其特征在于,所述第二控制薄膜晶体管的有源层和所述传感器件晶体管的有源层材料不同,所述第二控制薄膜晶体管的有源层材料为非金属氧化物、非晶硅、石墨烯、二硫化钼或碳纳米管。
6.如权利要求1所述的屏内传感器件结构,其特征在于,所述第一控制薄膜晶体管层和所述第二控制薄膜晶体管层分别位于所述衬底的两面;
或者,
所述第一控制薄膜晶体管层位于所述衬底的一面上,所述第二控制薄膜晶体管层位于所述第一控制薄膜晶体管层的表面;
或者,
所述第二控制薄膜晶体管层位于所述衬底的一面上,所述第一控制薄膜晶体管层位于所述第二控制薄膜晶体管层的表面。
7.如权利要求1所述的屏内传感器件结构,其特征在于,所述第一控制薄膜晶体管层和所述第二控制薄膜晶体管层之间具有隔离层。
8.如权利要求2所述的屏内传感器件结构,其特征在于,所述显示器件为OLED、QLED、Mini-LED、Micro-LED。
9.如权利要求1所述的屏内传感器件结构,其特征在于,所述衬底为刚性材料或柔性材料,所述刚性材料包括硅或玻璃;所述柔性材料包括PI或PET。
10.一种显示装置,其特征在于,包括:衬底、第一控制薄膜晶体管层、显示器件、第二控制薄膜晶体管层;
其中,所述第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层位于所述衬底上,且分别位于不同层;
所述第一控制薄膜晶体管层与所述显示器件通过金属互联层连接,所述显示器件用于显示信息,所述第一控制薄膜晶体管用于控制所述显示器件;
所述第二控制薄膜晶体管层中具有第一控制薄膜晶体管以及传感器件晶体管,所述传感器件晶体管用于感应外部环境信息,并将外部环境信息转化为电信号,第二控制薄膜晶体管与所述传感器件晶体管连接,且所述第二控制薄膜晶体管用于控制所述传感器件晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





