[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有浅沟槽隔离结构；

在所述衬底中形成第一掺杂类型的阱和第二掺杂类型的阱，所述第一掺杂类型的阱包括第一掺杂类型的阱第一部分和位于该第一掺杂类型的阱第一部分上的第一掺杂类型的阱第二部分，所述第二掺杂类型的阱包括第二掺杂类型的阱第一部分和位于该第二掺杂类型的阱第一部分上的第二掺杂类型的阱第二部分，所述第一掺杂类型的阱第二部分和所述第二掺杂类型的阱第二部分被所述浅沟槽隔离结构隔离；所述第一掺杂类型的阱第一部分和所述第二掺杂类型的阱第一部分位于所述浅沟槽隔离结构下方，且所述第一掺杂类型的阱第一部分和所述第二掺杂类型的阱第一部分部分重叠，或者所述第一掺杂类型的阱第一部分和所述第二掺杂类型的阱第一部分隔离开，并裸露出所述衬底；以及，

在所述第一掺杂类型的阱中形成第一注入区，在所述第二掺杂类型的阱中形成第二注入区。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂类型的阱第一部分和所述第二掺杂类型的阱第一部分重叠的宽度W1为:

0W1≤L-2*S；

其中，所述L为所述浅沟槽隔离结构的宽度，所述S为所述第一掺杂类型的阱或者所述第二掺杂类型的阱包围有源区的版图设计规则宽度，所述有源区为两个所述浅沟槽隔离结构之间的区域。

3.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂类型的阱第一部分和所述第二掺杂类型的阱第一部分重叠的宽度越大，所述第一掺杂类型的阱和所述第二掺杂类型的阱形成的PN结的击穿电压越大。

4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂类型的阱第一部分和所述第二掺杂类型的阱第一部分隔离开的距离W2为：

0W2≤L-2*S；

其中，所述L为所述浅沟槽隔离结构的宽度，所述S为所述第一掺杂类型的阱或者所述第二掺杂类型的阱包围有源区的版图设计规则宽度，所述有源区为两个所述浅沟槽隔离结构之间的区域。

5.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂类型的阱第一部分和所述第二掺杂类型的阱第一部分隔离开的距离越大，所述第一掺杂类型的阱和所述第二掺杂类型的阱形成的PN结的击穿电压越大。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述第一掺杂类型的阱中形成所述第一注入区，在所述第二掺杂类型的阱中形成所述第二注入区的步骤之前，还包括：

在所述第一掺杂类型的阱上形成栅极；以及，

在所述栅极两侧形成源极及漏极。

7.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述衬底中形成所述第一掺杂类型的阱和所述第二掺杂类型的阱的过程包括：

采用光刻技术定义出第一掺杂类型的阱区域，并进行第一掺杂离子注入，形成所述第一掺杂类型的阱；

再次采用光刻技术定义出第二掺杂类型的阱区域，并进行第二掺杂离子注入，形成所述第二掺杂类型的阱，所述第一掺杂类型的阱区域与所述第二掺杂类型的阱区域部分重叠或者隔离开。

8.如权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂离子为N型掺杂离子，所述第二掺杂离子为P型掺杂离子；或者，所述第一掺杂离子为P型掺杂离子，所述第二掺杂离子为N型掺杂离子。

9.如权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述第一掺杂类型的阱中注入第一掺杂离子形成所述第一注入区，在所述第二掺杂类型的阱中注入第二掺杂离子形成所述第二注入区。

10.一种根据权利要求1~9任一项所述的半导体结构的制造方法形成的半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，且所述衬底上形成有浅沟槽隔离结构；

位于所述衬底中的第一掺杂类型的阱和第二掺杂类型的阱，所述第一掺杂类型的阱包括第一掺杂类型的阱第一部分和位于该第一掺杂类型的阱第一部分上的第一掺杂类型的阱第二部分，所述第二掺杂类型的阱包括第二掺杂类型的阱第一部分和位于该第二掺杂类型的阱第一部分上的第二掺杂类型的阱第二部分，所述第一掺杂类型的阱第二部分和所述第二掺杂类型的阱第二部分被所述浅沟槽隔离结构隔离；所述第一掺杂类型的阱第一部分和所述第二掺杂类型的阱第一部分位于所述浅沟槽隔离结构下方，且所述第一掺杂类型的阱第一部分和所述第二掺杂类型的阱第一部分部分重叠，或者所述第一掺杂类型的阱第一部分和所述第二掺杂类型的阱第一部分隔离开，并裸露出所述衬底；

位于所述第一掺杂类型的阱中的第一注入区；以及，

位于所述第二掺杂类型的阱中的第二注入区。