[发明专利]用于形成半导体器件的方法

说明书

本发明涉及一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括在相应的第一端子和第二端子的第一侧壁和第二侧壁之间形成开口。第一侧壁和第二侧壁彼此相对。该方法还包括以第一沉积速率在开口的顶部上沉积第一介电材料，以及以第二沉积速率在第一介电材料上以及在第一侧壁和第二侧壁上沉积第二介电材料。第二介电材料以及第一侧壁和第二侧壁截留气袋。该方法还包括对第二介电材料执行处理工艺。

技术领域

本发明的实施例涉及用于形成半导体器件的方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)行业经历了指数增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了多代IC，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(例如，每芯片面积的互连器件的数量)通常增加，而几何尺寸(例如，可以使用制造工艺产生的最小的组件或线)减小。这种按比例缩小工艺通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

发明内容

本发明的实施例提供了一种用于形成半导体器件的方法，包括：在相应的第一端子和第二端子的第一侧壁和第二侧壁之间形成开口，其中，所述第一侧壁和所述第二侧壁彼此相对；以第一沉积速率在所述开口的顶部上沉积第一介电材料；以第二沉积速率在所述第一介电材料上以及在所述第一侧壁和所述第二侧壁上沉积第二介电材料，其中，所述第二介电材料以及所述第一侧壁和所述第二侧壁截留气袋；以及对所述第二介电材料执行处理工艺。

本发明的另一实施例提供了一种用于形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成栅极结构和源极/漏极(S/D)接触件；沉积第一介电材料，其中：所述第一介电材料的第一部分位于所述栅极结构的侧壁的顶部上；并且所述第一介电材料的第二部分位于所述源极/漏极接触件的侧壁的顶部上；沉积第二介电材料，其中：所述第二介电材料的第一部分位于所述第一介电材料的第一部分上和所述栅极结构的侧壁上；并且所述第二介电材料的第二部分位于所述第一介电材料的第二部分上和所述源极/漏极接触件的侧壁上，其中，继续沉积所述第二介电材料，直到所述第二介电材料的第一部分和第二部分彼此接触；以及对沉积的第二介电材料执行氧处理工艺。

本发明的又一实施例提供了一种用于形成半导体器件的方法，包括：在衬底的顶面上方以及在半导体器件的第一端子与第二端子之间形成开口；沉积第一介电材料，其中：所述第一介电材料的第一部分位于所述第一端子的侧壁的顶部上；并且所述第一介电材料的第二部分位于所述第二端子的侧壁的顶部上；沉积第二介电材料，其中：所述第二介电材料的第一部分位于所述第一介电材料的第一部分上；并且所述第二介电材料的第二部分位于所述第一介电材料的第二部分上，其中，在由所述第二介电材料、所述第一端子和所述第二端子以及所述衬底围绕的所述开口中截留有气袋；以及对沉积的第二介电材料执行氧处理工艺。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的示出和讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据一些实施例的半导体结构的等距视图。

图2至图6是根据一些实施例的各种部分形成的半导体结构的截面图。

图7是根据一些实施例的在半导体结构中形成双层密封结构的方法的流程图。

图8示出了根据一些实施例的半导体结构中的双层密封结构的形成期间发生的化学反应。

具体实施方式

以下公开提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同的实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实施例或实例以简化本发明。当然，这些仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成附加部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可以在各个示例中重复参考数字和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。