[发明专利]用于形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在相应的第一端子和第二端子的第一侧壁和第二侧壁之间形成开口，其中，所述第一侧壁和所述第二侧壁彼此相对；

以第一沉积速率在所述开口的顶部上沉积第一介电材料；

以第二沉积速率在所述第一介电材料上以及在所述第一侧壁和所述第二侧壁上沉积第二介电材料，其中，所述第二介电材料以及所述第一侧壁和所述第二侧壁截留气袋；以及

对所述第二介电材料执行处理工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第一介电材料包括使四甲基二硅氧烷(TMDSO)流入沉积室。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，沉积所述第一介电材料还包括使氢气和氧气流入所述沉积室。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第二介电材料包括使四甲基二硅氧烷流入沉积室。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第二介电材料包括分别在所述第一侧壁和所述第二侧壁上沉积所述第二介电材料的第一部分和第二部分。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，沉积所述第二介电材料的所述第一部分和所述第二部分包括沉积所述第二介电材料，直到所述第二介电材料的所述第一部分和所述第二部分彼此接触。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二沉积速率小于所述第一沉积速率。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理工艺包括氧退火过程。

9.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成栅极结构和源极/漏极(S/D)接触件；

沉积第一介电材料，其中：

所述第一介电材料的第一部分位于所述栅极结构的侧壁的顶部上；并且

所述第一介电材料的第二部分位于所述源极/漏极接触件的侧壁的顶部上；

沉积第二介电材料，其中：

所述第二介电材料的第一部分位于所述第一介电材料的第一部分上和所述栅极结构的侧壁上；并且

所述第二介电材料的第二部分位于所述第一介电材料的第二部分上和所述源极/漏极接触件的侧壁上，其中，继续沉积所述第二介电材料，直到所述第二介电材料的第一部分和第二部分彼此接触；以及

对沉积的第二介电材料执行氧处理工艺。

10.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在衬底的顶面上方以及在半导体器件的第一端子与第二端子之间形成开口；

沉积第一介电材料，其中：

所述第一介电材料的第一部分位于所述第一端子的侧壁的顶部上；并且

所述第一介电材料的第二部分位于所述第二端子的侧壁的顶部上；沉积第二介电材料，其中：

所述第二介电材料的第一部分位于所述第一介电材料的第一部分上；并且

所述第二介电材料的第二部分位于所述第一介电材料的第二部分上，其中，在由所述第二介电材料、所述第一端子和所述第二端子以及所述衬底围绕的所述开口中截留有气袋；以及

对沉积的第二介电材料执行氧处理工艺。