[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

有源层，所述有源层包括位于所述基板上的第一有源层、及位于所述第一有源层远离所述基板一侧的第二有源层；

栅极绝缘层，位于所述有源层远离所述基板的一侧，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层；

栅极，位于所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧；

源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述第一有源层两个相对的边缘区域上方；其中，

所述第一有源层和所述第二有源层均为经过含氧等离子体处理后的铟锌氧化物薄膜层，所述第二有源层与所述源极和所述漏极间隔设置且位于所述源极和所述漏极之间；所述第二有源层的含氧量大于所述第一有源层的含氧量，所述第一有源层包括沟道区，所述第二有源层对应所述第一有源层的沟道区设置，所述第二有源层完全覆盖所述第一有源层的沟道区。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层沟道区在所述基板上的投影位于所述第二有源层在所述基板上的投影内。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层的厚度小于所述第一有源层的厚度。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层的厚度为20nm-100nm，所述第二有源层的厚度为20nm-200nm。

5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

步骤S10：在基板上依次制备第一有源层薄膜和第二有源层薄膜，其中，所述第二有源层薄膜的含氧量大于所述第一有源层薄膜的含氧量；

步骤S20：对所述第一有源层薄膜和所述第二有源层薄膜图案化处理，形成有源层，所述有源层包括第一有源层和第二有源层，所述第一有源层和所述第二有源层均为经过含氧等离子体处理后的铟锌氧化物薄膜层；

步骤S30：对所述第二有源层图案化处理，使所述第二有源层的厚度小于所述第一有源层的厚度，其中，所述第一有源层包括沟道区，所述第二有源层对应所述第一有源层的沟道区设置，所述第二有源层完全覆盖所述第一有源层的沟道区；

步骤S40：在所述第二有源层远离所述第一有源层的一侧依次制备栅极绝缘层和栅极，所述栅极绝缘层完全覆盖所述第一有源层和所述第二有源层。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S10包括在所述第一有源层薄膜上沉积第二有源层薄膜，同时通入氩气和氧气；所述氩气和氧气的比值为8：1至10：1。

7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～4中任一项所述的阵列基板。