[发明专利]晶片存储器件、相关联方法和装置

说明书

本申请涉及晶片存储器件、相关联方法和装置。所述晶片存储器件包括耦合到所述一或多个导轨中的至少一些导轨的一或多个传感器。所述一或多个传感器可被配置成检测晶片的物理性质。所述晶片存储器件还可以包括被配置成分析来自所述一或多个传感器的数据的处理器，以及存储器器件。所述存储器器件可被配置成存储由至少所述一或多个传感器或所述处理器产生的数据。所述晶片存储器件还可以包括电力存储器件，所述电力存储器件被配置成从外部源接收电力并向所述一或多个传感器和所述处理器提供电力。

优先权要求

本申请要求享有2019年11月19日提交的序列号为16/688,238的美国专利申请的申请日的权益，其公开内容通过引用整体结合于本文。

技术领域

本公开的实施例涉及用于微电子器件晶片的存储器件和传送器件。具体地，一些实施例涉及被配置成测量存储在其中的微电子器件晶片的物理性质的晶片存储器件和传送器件，并且涉及相关联的方法和装置。

背景技术

在制造过程中，微电子器件(例如，半导体裸片)晶片(在本文中也称为“晶片”)可以被传送并存储在晶片存储器件(例如，晶片传送器件，前口部通用容器(FOUP)，标准制造接口(SMIF)等)中。当晶片未被主动处理时，晶片存储器件可以被密封以提供受控的环境。

在微电子器件的制造过程中，晶片可能会经历多种工艺行为，例如添加材料，应用掩模、模板或模版，通过诸如研磨、蚀刻、光刻等工艺除去材料以及诸如固化和回流工艺的加热过程。

由晶片的材料制造微电子器件(例如半导体裸片)的制造过程中采用的每个过程动作都可能影响晶片的物理性质。例如，添加材料可以增加晶片的重量和/或厚度，而材料去除工艺可以导致晶片的重量减小和/或厚度减小。加热过程和/或固化过程可以改变晶片的形状，例如，通过引起非平面度，例如晶片的拱起、凹陷、弯曲或翘曲，来改变晶片的形状。晶片的物理变化可能导致晶片材料产生额外的应力和/或对晶片和/或加工设备的可能损坏。常规地，可以通过在测量站处的一或多个额外工艺动作，在微电子器件制造过程期间以一定间隔选择性地测量晶片中的物理变化。可以记录物理变化，以使操作员能够识别例如特定晶片的问题，可能需要修改的工艺和/或工艺过程中使用的故障设备或有缺陷或受污染的原料。

发明内容

本公开的一些实施例可以包括一种晶片存储器件。所述晶片存储器件可以包括由顶壁、底壁和后壁分开两个相对的侧壁，一起围封具有口部的腔室。所述晶片存储器件还可以包括相互对齐的导轨，从两个相对的侧壁中的每一个延伸，并且被配置成在所述相对的侧壁之间支撑晶片。所述晶片存储器件还可以包括一或多个传感器，被配置成检测晶片的物理性质并且耦合到所述相互对齐的导轨中的至少一个导轨。

本公开的另一个实施例可以包括晶片处理系统。所述晶片处理系统可以包括晶片传送器件。所述晶片传送器件可以包括具有口部的腔室。所述晶片传送器件还可包括从所述腔室的相对侧上的两个侧壁延伸的一或多组导轨。从所述两个侧壁延伸的一或多组导轨中的每组导轨可以间隔开以在所述侧壁之间接纳和支撑晶片。所述晶片传送器件还可以包括一或多个传感器，由所述晶片传送器件携带并且被配置成测量至少一个晶片的重量。

本公开的另一实施例可以包括晶片传送器件。所述晶片传送器件可以包括从两个相对的侧壁延伸的一或多对相互对齐的搁架。所述相互对齐的搁架可以被配置成在所述两个相对的侧壁之间支撑晶片。所述晶片传送器件还可以包括一或多个传感器，定位于至少一些对所述相互对齐的搁架中的至少一个搁架中的至少一个搁架上。所述晶片传送器件还可以包括处理器，可操作地耦合以从所述一或多个传感器接收包含数据的信号。晶片传送器件还可包括存储器件，其被配置成存储来自一或多个传感器的数据。晶片传送器件还可以包括电力存储器件，该电力存储器件被配置成从外部源接收和存储电力并且向一或多个传感器，处理器和存储器提供电力。