[发明专利]晶片存储器件、相关联方法和装置

权利要求书

1.一种晶片存储器件，包含：

由顶壁、底壁和后壁分开的两个相对的侧壁，一起围封具有口部的腔室；

相互对齐的导轨，从所述两个相对的侧壁中的每一个延伸并且被配置成在所述相对的侧壁之间支撑晶片；以及

一或多个传感器，被配置成检测晶片的物理性质并且耦合到所述相互对齐的导轨中的至少一个导轨。

2.根据权利要求1所述的晶片存储器件，其中所述一或多个传感器包含力传感器、应变传感器或光学传感器中的至少一个。

3.根据权利要求1所述的晶片存储器件，其中所述相互对齐的导轨包含在两个相对的侧壁上的多组两个导轨，每组的所述相互对齐的导轨竖直地间隔开以在其之间接纳晶片。

4.根据权利要求1所述的晶片存储器件，其中所述一或多个传感器包含至少两种不同类型的两个或两个以上传感器。

5.根据权利要求1所述的晶片存储器件，还包含一或多个传感器，所述一或多个传感器耦合到两个相互对齐的导轨上，并且被定位和配置成组合地检测支撑在所述相互对齐的导轨上的晶片的重量。

6.根据权利要求1所述的晶片存储器件，其中所述一或多个传感器被配置成检测晶片的一部分的厚度。

7.根据权利要求1所述的晶片存储器件，其中所述一或多个传感器还包含一或多个形状传感器，所述一或多个形状传感器耦合到从所述两个相对的侧壁中的每一个延伸的两个相互对齐的导轨，并且被定位和配置成组合地检测晶片的非平面度。

8.根据权利要求7所述的晶片存储器件，其中所述一或多个形状传感器被定位和配置成组合地检测晶片的形状，所述晶片的形状包含凹陷、拱起、弯曲和翘曲中的至少一个。

9.一种晶片处理系统，包含：

晶片传送器件，包含：

具有口部的腔室；

从所述腔室的相对侧上的两个侧壁延伸的一或多组导轨，其中从所述两个侧壁延伸的所述一或多组导轨中的每组导轨间隔开以在所述侧壁之间接纳和支撑晶片；以及

一或多个传感器，由所述晶片传送器件承载并被配置成测量至少一个晶片的重量。

10.根据权利要求9所述的晶片处理系统，其中所述一或多个传感器包含至少两个力传感器。

11.根据权利要求10所述的晶片处理系统，其中所述至少两个力传感器包含至少一个低力传感器和至少一个高力传感器。

12.根据权利要求11所述的晶片处理系统，其中所述至少一个低力传感器被配置成以约0.001mg的增量测量约0.01mg至约1mg之间的重量，并且所述至少一个高力传感器被配置成测量约100mg至约10g之间的重量。

13.根据权利要求9所述的晶片处理系统，其中所述一或多个传感器包含至少四个传感器。

14.根据权利要求13所述的晶片处理系统，其中所述至少四个传感器位于从所述侧壁延伸的对齐的多组导轨的下导轨上。

15.根据权利要求14所述的晶片处理系统，其中：

所述至少四个传感器中的第一传感器定位于从一个侧壁延伸的一组导轨中的下导轨的前部区域；

所述至少四个传感器中的第二传感器定位于从所述一个侧壁延伸的所述一组导轨中的所述下导轨的后部区域；

所述至少四个传感器中的第三传感器定位于从另一侧壁延伸的所述一组导轨中的下导轨的前部区域；以及

所述至少四个传感器中的第四传感器定位于从所述另一侧壁延伸的所述一组导轨中的所述下导轨的后部区域。