[发明专利]铝互连层焊盘窗口刻蚀检测方法

说明书

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种铝互连层焊盘窗口刻蚀检测方法。所述铝互连层焊盘窗口刻蚀检测方法包括：提供带有铝互连结构的半导体器件，所述铝互连结构包括n层铝层；对准所述n层铝层的第n层，开设焊盘窗口，使得所述焊盘窗口接触第n层铝层；通过光量测工艺，测算从所述焊盘窗口处外露的所述第n层铝层表面m个量测点的反射率；若至少一个测量点测算的反射率小于第一阈值，确定所述焊盘窗口未刻蚀干净；所述第一阈值的反射率为所述铝层的反射率。本申请提供的一种铝互连层焊盘窗口刻蚀检测方法，可以解决相关技术中的检测方法会破坏晶圆本身且检测效率较低的问题。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种铝互连层焊盘窗口刻蚀检测方法。

背景技术

在现代半导体工艺中，随着芯片集成度的增加和尺寸的减小，芯片引脚间距越来越细密化，微电子封装的精度要求越来越高，封装键合质量及可靠性控制与提升的难度加大。在制作键合线前需要刻蚀焊盘窗口，焊盘窗口的刻蚀质量至关重要，一旦出现刻蚀不完全的问题，则会导致键合不可靠，因此需要对焊盘窗口的刻蚀质量进行检测。

相关技术在检测焊盘窗口刻蚀质量时，通常需要对晶圆进行切片，通过电镜观察切口膜层以判断是否有未刻蚀干净的情形。

但是相关技术检测焊盘窗口质量的方法不仅会破坏晶圆本身，且检测效率较低。

发明内容

本申请提供了一种铝互连层焊盘窗口刻蚀检测方法，可以解决相关技术中的检测方法会破坏晶圆本身且检测效率较低的问题。

本申请提供一种铝互连层焊盘窗口刻蚀检测方法，所述铝互连层焊盘窗口刻蚀检测方法包括：

提供带有铝互连结构的半导体器件，所述铝互连结构包括n层铝层；

对准所述n层铝层的第n层，开设焊盘窗口，使得所述焊盘窗口接触第n层铝层；

通过光量测工艺，测算从所述焊盘窗口处外露的所述第n层铝层表面m个量测点的反射率；

若至少一个测量点测算的反射率小于第一阈值，确定所述焊盘窗口未刻蚀干净；所述第一阈值的反射率为所述铝层的反射率。

可选的，所述铝层的上、下表面设有含钛层。

可选的，所述含钛层的反射率为20％至30％。

可选的，所述第一阈值的范围为：80％至90％。

可选的，所述铝层的厚度为7K至9K。

本申请技术方案，至少包括如下优点：本申请通过光量测工艺，测算从所述焊盘窗口处外露的所述第n层铝层表面m个量测点的反射率，若至少一个测量点测算的反射率小于第一阈值，确定所述焊盘窗口未刻蚀干净，否则焊盘窗口刻蚀干净，可以提高检测效率的同时避免对晶圆本省造成破坏。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本申请一实施例提供的铝互连层焊盘窗口刻蚀检测方法流程图；

图2示出了所提供带有铝互联层的半导体器件剖视结构示意图；

图3示出了本申请步骤S2完成后的器件剖面结构示意图。

具体实施方式