[发明专利]铝互连层焊盘窗口刻蚀检测方法在审
| 申请号： | 202011284043.9 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN112420540A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 梁金娥;冯秦旭;姚道州 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/47 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 层焊盘 窗口 刻蚀 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铝互连层焊盘窗口刻蚀检测方法，其特征在于，所述铝互连层焊盘窗口刻蚀检测方法包括：
提供带有铝互连结构的半导体器件，所述铝互连结构包括n层铝层；
对准所述n层铝层的第n层，开设焊盘窗口，使得所述焊盘窗口接触第n层铝层；
通过光量测工艺，测算从所述焊盘窗口处外露的所述第n层铝层表面m个量测点的反射率；
若至少一个测量点测算的反射率小于第一阈值，确定所述焊盘窗口未刻蚀干净；所述第一阈值的反射率为所述铝层的反射率。
2.如权利要求1所述的铝互连层焊盘窗口刻蚀检测方法，其特征在于，所述铝层的上、下表面设有含钛层。
3.如权利要求1所述的铝互连层焊盘窗口刻蚀检测方法，其特征在于，所述含钛层的反射率为20％至30％。
4.如权利要求1所述的铝互连层焊盘窗口刻蚀检测方法，其特征在于，所述第一阈值的范围为：80％至90％。
5.如权利要求1所述的铝互连层焊盘窗口刻蚀检测方法，其特征在于，所述铝层的厚度为7K至9K。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
