[发明专利]一种芯片插座S参数的测试结构及其测试方法

说明书

本发明提供了一种芯片插座S参数的测试结构及其测试方法，该测试结构通过设置两套测试子结构，其中一套测试子结构中的第一基板测试板通过芯片插座连接在第一主板测试板上，通过测试一对第一连接器及对应的一对第二连接器，获取第一连接器+第一基板测试板+芯片插座+第一主板测试板+第二连接器的链路的第一S参数。第二基板测试板通过焊接方式直接连接在第二主板测试板上，通过测试第三连接器及对应的一对第四连接器，获取第三连接器+第二基板测试板+第二主板测试板+第四连接器的链路的第二S参数。通过后一链路的第二S参数对前一链路的第一S参数进行去嵌入，得到芯片插座的S参数，提高芯片插座的S参数的准确性。

技术领域

本发明涉及Socket测试技术领域，尤其涉及一种芯片插座S参数的测试结构及其测试方法。

背景技术

S参数即为散射参数，是一种描述元器件在表现为射频特点的高频信号激励下的电气行为的工具，它描述的方式是以元器件对入射信号作出“反应”即“散射”后，从元器件外部“散射”出的可测量的物理量来实现的，测量到的物理量的大小反应出不一样特点的元器件会对相同的输入信号“散射”的程度不一样，这种不一样的散射程度就可以用来描述元器件的特点，而且这种表达方式已成为作为一种非常有用的电气模型。这些物理量被称为入射电压、反射电压、传输电压等等。很多无源器件如电缆、连接器、PCB走线等传输介质都会表现出这种特点，因此都可以用S参数来表征。

当前，工程师在选择芯片插座(Socket)的时候，面临着一个非常重要的问题，就是经常获取不到芯片插座的S参数，或者是只能拿到仿真的芯片插座的S参数。仿真的芯片插座的S参数，是工程师将结构、材料等信息综合输入仿真软件，根据不同的需求选择相匹配的仿真频率和仿真方法，从而得到的一种描述芯片插座高频特性的表达方式。由于芯片插座的S参数是通过仿真的方法得出来的，它的准确性没有得到实测验证。而仿真过程中，仅仅考虑比较理想的情况下的影响因素，一些材料特性、温度影响以及接触好坏等因素的影响无法得以充分体现，使所得到的芯片插座的S参数与实际的芯片插座的S参数之间可能存在一定的偏差。

发明内容

本发明提供了一种芯片插座S参数的测试结构及其测试方法，以通过全部测试或部分测试的方式获得芯片插座的S参数，提高所获取的芯片插座S参数的准确性。

第一方面，本发明提供了一种芯片插座S参数的测试结构，该测试结构包括第一基板测试板及第一主板测试板。其中，第一基板测试板上设置有至少一对第一连接器，第一主板测试板上设置有至少一对第二连接器，且至少一对第一连接器与至少一对第二连接器一一对应。第一基板测试板通过芯片插座连接在第一主板测试板上，使每对第一连接器与该对第一连接器对应的一对第二连接器之间电连接。该测试结构还包括第二基板测试板及第二主板测试板，其中，第二基板测试板上设置有至少一对第三连接器，第二主板测试板上设置有至少一对第四连接器，且至少一对第三连接器与至少一对第四连接器一一对应。且第二基板测试板焊接在第二主板测试板上，使每对第三连接器及该对第三连接器对应的一对第四连接器之间电连接。

在上述的方案中，通过设置两套测试子结构，其中一套测试子结构中的第一基板测试板通过芯片插座连接在第一主板测试板上，可以通过测试一对第一连接器及对应的一对第二连接器，获取第一连接器+第一基板测试板+芯片插座+第一主板测试板+第二连接器的链路的第一S参数。另一套测试子结构中的第二基板测试板通过焊接方式直接连接在第二主板测试板上，可以通过测试第三连接器及对应的一对第四连接器，获取第三连接器+第二基板测试板+第二主板测试板+第四连接器的链路的第二S参数。之后通过后一链路的第二S参数对前一链路的第一S参数进行去嵌入，得到芯片插座的S参数。与现有技术中采用仿真获取芯片插座的方式相比，本发明全部通过测试的方式获取第一S参数及第二S参数，之后通过去嵌入的方式获取芯片插座的S参数，能够体现出材料特性、温度影响以及接触好坏等因素对芯片插座的S参数的影响，能够提高所获取的芯片插座的S参数的准确性。同时，通过这种方法还可以对仿真所得的S参数进行验证。