[发明专利]一种光罩工艺误差修正方法

说明书

本发明公开了一种光罩工艺误差修正方法，涉及元器件制造技术领域。该方法包括：根据预设曝光强度对器件进行曝光处理；获取曝光处理后的器件表面光罩图案的各区域的多个线宽，区域根据待形成图案的疏密程度划分有疏区和至少一个密区；根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量。上述方法根据曝光处理后光罩图案的变化数据，对曝光光线的反射量进行预估，并对预设曝光强度进行调整，动态地修正光罩工艺中的参数，使得到的光罩图案的线宽在误差允许的范围内稳定波动，降低了光罩生产的成本，也使光罩的品质维持在较高的水平内。

技术领域

本发明涉及元器件制造技术领域，具体而言，涉及一种光罩工艺误差修正方法。

背景技术

曝光(exposure)过程是使用电子束与特定位置光刻胶发生曝光反应。光罩(Mask)在进行曝光操作会由于反射光的干扰程度不同，使曝光后的线宽(CD)值产生变化达不到预期理想的CD值。当图案周围其他图案过多，在曝光时光刻胶内部会存在反射光干扰使该图案曝光后CD值偏大，与预期发生偏差。同时，当曝光次数过多时，曝光设备PRX值(CD密区与CD疏区的差值)偏移量会逐渐增大。所以，曝光参数的设置成为光罩生产过程影响曝光质量的重要因素。

现有技术中，通常使用经验估算法或多次静态调整法，在生产的中长期后根据得到的反馈数据进行调整。上述方法通常需要寻找有经验的工程师根据经验进行多次调整曝光强度、光刻胶的厚度和对光源的灵敏度，需要不断改善光刻胶材料。多次的实验和研究导致时间、人力和材料成本耗费巨大，无法适应每次生产所产生的特异性问题，也无法长期将产品维持在高品质。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光罩工艺误差修正方法，以解决现有技术中，光罩生产成本高，品质无法保证的技术问题。

本发明的实施例是这样实现的：

本发明实施例提供一种光罩工艺误差修正方法，包括：根据预设曝光强度对器件进行曝光处理；获取曝光处理后的器件表面光罩图案的各个区域的多个线宽，区域根据待形成图案的疏密程度划分有疏区和至少一个密区；根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量。

可选地，上述获取曝光处理后的器件表面光罩图案的各区域的多个线宽包括：对应于每一个区域，分别获取区域内每个光罩图案的线宽；对多个线宽计算均值作为区域的线宽。

可选地，上述根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量包括：若密区的线宽和疏区的线宽的差值大于零，则减小对应密区的预设曝光强度。

可选地，上述根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量包括：若密区的线宽和疏区的线宽的差值小于零，则增大对应密区的预设曝光强度。

可选地，上述根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量包括：依据公式E(x)＝eta*∫∫D(x’)g(x-x’)dx计算预设曝光强度的调整量，其中，E(x)为预设图案处预设曝光强度的调整量，eta为曝光处理使用的光刻胶的反射系数，D(x’)为相邻图案的光照强度，g(x-x’)为相邻图案反射至预设图案的光照强度。

可选地，上述根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量包括：依据公式Δη＝A×B×ΔCD计算预设曝光强度的调整比值，其中，Δη为预设图案处预设曝光强度的调整量，A为曝光处理使用的光刻胶的灵敏度，B为制程参数，ΔCD为密区的线宽与疏区的线宽的差值。

可选地，上述根据预设曝光强度对器件进行曝光处理包括：设置曝光调整周期，一个曝光调整周期内依次曝光处理N个器件，N为大于等于1的整数；计算密区的预设曝光强度的调整量之后，方法还包括：计算N个器件对应密区的预设曝光强度的调整量的均值，作为密区的预设曝光强度的调整量。