[发明专利]一种光罩工艺误差修正方法

权利要求书

1.一种光罩工艺误差修正方法，其特征在于，包括：

根据预设曝光强度对器件进行曝光处理；

获取曝光处理后的所述器件表面光罩图案的各个区域的多个线宽，所述区域根据待形成图案的疏密程度划分有疏区和至少一个密区；

根据所述密区的线宽与所述疏区的线宽的差值，以及每个所述密区所在的位置，计算所述密区的所述预设曝光强度的调整量。

2.根据权利要求1所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述获取曝光处理后的所述器件表面光罩图案的各区域的多个线宽包括：

对应于每一个所述区域，分别获取所述区域内每个所述光罩图案的线宽；

对多个所述线宽计算均值作为所述区域的线宽。

3.根据权利要求1所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述根据所述密区的线宽与所述疏区的线宽的差值，以及每个所述密区所在的位置，计算所述密区的所述预设曝光强度的调整量包括：

若所述密区的线宽和所述疏区的线宽的差值大于零，则减小对应所述密区的所述预设曝光强度。

4.根据权利要求1所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述根据所述密区的线宽与所述疏区的线宽的差值，以及每个所述密区所在的位置，计算所述密区的所述预设曝光强度的调整量包括：

若所述密区的线宽和所述的疏区的线宽的差值小于零，则增大对应所述密区的所述预设曝光强度。

5.根据权利要求1所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述根据所述密区的线宽与所述疏区的线宽的差值，以及每个所述密区所在的位置，计算所述密区的所述预设曝光强度的调整量包括：

依据公式E(x)＝eta*∫∫D(x’)g(x-x’)dx计算所述预设曝光强度的调整量，其中，E(x)为预设图案处所述预设曝光强度的调整量，eta为所述曝光处理使用的光刻胶的反射系数，D(x’)为相邻图案的光照强度，g(x-x’)为所述相邻图案反射至所述预设图案的光照强度。

6.根据权利要求1所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述根据所述密区的线宽与所述疏区的线宽的差值，以及每个所述密区所在的位置，计算所述密区的所述预设曝光强度的调整量包括：

依据公式Δη＝A×B×ΔCD计算所述预设曝光强度的调整比值，其中，Δη为预设图案处所述预设曝光强度的调整量，A为所述曝光处理使用的光刻胶的灵敏度，B为制程参数，ΔCD为所述密区的线宽与所述疏区的线宽的差值。

7.根据权利要求1所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述根据预设曝光强度对器件进行曝光处理包括：

设置所述曝光调整周期，一个所述曝光调整周期内依次曝光处理N个所述器件，N为大于等于1的整数；

所述计算所述密区的所述预设曝光强度的调整量之后，所述方法还包括：

计算N个所述器件对应所述密区的预设曝光强度的调整量的均值，作为所述密区的所述预设曝光强度的调整量。

8.根据权利要求7所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述设置所述曝光调整周期包括：

确定所述器件的总产量；

根据所述总产量确定所述器件的单次生产量；

根据所述总产量和所述单次生产量的比值确定所述曝光调整周期。

9.根据权利要求1所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，在所述根据预设曝光强度对器件进行曝光处理之前，所述方法还包括：

确定所述器件的曝光需求，根据所述曝光需求确定所述预设曝光强度。

10.根据权利要求9所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述曝光需求包括所述光罩图案的预设线宽。