[发明专利]一种用于荧光强度基底计算的方法在审

专利信息
申请号: 202011275934.8 申请日: 2020-11-16
公开(公告)号: CN112461805A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 张胜军;汤四媛;罗继全;李昆鹏 申请(专利权)人: 三诺生物传感股份有限公司
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64;G01N33/53;G01N33/58
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 肖平安
地址: 410205 湖南省长*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 荧光 强度 基底 计算 方法
【权利要求书】:

1.一种用于荧光强度基底计算的方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)采用荧光免疫分析仪以设定的测试频率f、测试时间t对试剂卡进行测试,按序输出荧光强度数据,从而在以输出数据序号X为横坐标、荧光强度值Y为纵坐标的坐标系上得到(f×t)个荧光强度点,得到对应的荧光强度散点图;

(2)确定所述荧光强度散点图中T峰、C峰的峰值位置点(XC,YC);

(3)确定所述T峰、C峰的起始位置点(XS,YS)、终止位置点(XE,YE);

(4)分别确定T峰、C峰的基底;所述T峰、C峰对应的基底的确定均包括以下步骤:将步骤(2)所得峰起始位置点(XS,YS)和峰终止位置点(XE,YE)连线,得到该线对应的线性函数f(X),将所述线性函数f(X)作为基底B的计算函数;所述基底B为每个输出数据序号X对应于所述线性函数f(X)的函数值,即B=f(X),从而使得所述荧光散点图中波峰范围内每个荧光强度点均有对应的基底。

2.根据权利要求要求1所述用于荧光强度基底计算的方法,其特征在于,步骤(4)还包括分别将T峰、C峰的峰值位置点的横坐标XC代入线性函数f(X),得到T峰、C峰对应的基底BC=f(XC),以BC=f(XC)作为波峰范围内的每个荧光强度点的基底。

3.根据权利要求要求1所述用于荧光强度基底计算的方法,其特征在于,步骤(2)中所述T峰、C峰的峰值位置点(XC,YC)采用最大值或平均幅值法进行确定。

4.根据权利要求要求1所述用于荧光强度基底计算的方法,其特征在于,步骤(3)中所述T峰、C峰对应的峰起始位置点、终止位置点的确定均包括以下步骤:将峰值位置点的横坐标XC分别减去、加上峰宽W的一半,计算出峰起始位置点的横坐标XS和峰终止位置点的横坐标XE,再根据XS、XE在所述荧光强度散点图中找到其对应的纵坐标,从而确定到峰起始位置点(XS,YS)和峰终止位置点(XE,YE)。

5.根据权利要求要求1所述用于荧光强度基底计算的方法,其特征在于,步骤(2)中所述T峰、C峰的峰值位置点(XC,YC)的确定,均包括以下步骤:计算峰预设检索范围内荧光强度点的斜率值Ki,将斜率值以其对应的输出数据序号X从小到大作为排列顺序进行排序得到对应的斜率数组;所述斜率值Ki按以下公式计算:

其中,x为输出数据序号;y为输出数据序号对应的荧光强度值;m为预设的已知整数,m≥1;i为输出数据序号;遍历所得的斜率数组找出斜率值的最大值和最小值,根据斜率值的最大值、最小值找到其对应的输出数据序号记为Xmax、Xmin,通过在Xmax与Xmin之间找到斜率值绝对值最小的值所对应的输出数据序号,该输出数据序号对应的荧光强度点即为峰值位置点(XC,YC)。

6.根据权利要求要求5所述用于荧光强度基底计算的方法,其特征在于,所述m为1或2。

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