[发明专利]阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成第一有源材料层及第一光阻层；

利用一多段式掩膜版对所述第一有源材料层及所述第一光阻层图案化处理，以使所述第一有源材料层形成第一驱动电路层的第一有源构件，以及使所述第一光阻层形成第一光阻图案，所述第一光阻图案在所述第一有源构件上的正投影位于所述第一有源构件内；

利用预设工艺对所述第一光阻图案及未被所述第一光阻图案覆盖的所述第一有源构件处理，使所述第一光阻图案形成保护构件以及使未被所述第一光阻图案覆盖的所述第一有源构件形成第一降阻部；

在所述衬底上形成与所述第一降阻部电连接的第一源漏极层；

其中，所述利用一多段式掩膜版对所述第一有源材料层及所述第一光阻层图案化处理，以使所述第一有源材料层形成第一驱动电路层的第一有源构件，以及使所述第一光阻层形成第一光阻图案的步骤，包括：

将一所述多段式掩膜版置于所述第一光阻层的一侧；

利用所述多段式掩膜版对所述第一光阻层的材料图案化处理，以在所述第一光阻层上形成不同厚度的第一光阻单元、第二光阻单元、第三光阻单元以及第一过孔；

对所述第一光阻单元、所述第二光阻单元以及所述第三光阻单元进行第一灰化工艺，去除所述第一光阻单元以及降低所述第二光阻单元与所述第三光阻单元的厚度，以形成第二光阻图案；

对所述第二光阻图案进行第二灰化工艺，去除所述第二光阻单元以及降低所述第三光阻单元的厚度，以形成所述第一光阻图案。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述多段式掩膜版包括第一透光区、第二透光区、第三透光区以及第四透光区，所述第一透光区与所述第一过孔对应，所述第二透光区与所述第一光阻单元对应，所述第三透光区与所述第二光阻单元对应，所述第四透光区与所述第三光阻单元对应。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述利用预设工艺对所述第一光阻图案及未被所述第一光阻图案覆盖的所述第一有源构件处理，使所述第一光阻图案形成保护构件以及使未被所述第一光阻图案覆盖的所述第一有源构件形成第一降阻部的步骤，包括：

对所述第一光阻图案及未被所述第一光阻图案覆盖的所述第一有源构件进行等离子体处理，使所述第一光阻图案中的光阻材料碳化以形成所述保护构件，以及使未被所述第一光阻图案覆盖的所述第一有源构件导体化以形成所述第一降阻部。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述在衬底上形成第一有源材料层的步骤之前，还包括：

在衬底上形成第二有源构件；

在所述第二有源构件上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成第二栅极层；

在所述第二栅极层上形成第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上形成第二源漏极材料层；

对所述第二源漏极材料层进行图案化处理，以形成第二源漏极层以及与所述第二源漏极层同层设置的所述第一驱动电路层的第一栅极层；

在所述第一栅极层及所述第二源漏极层上形成第一绝缘层；

其中，所述第一有源构件包括金属氧化物，所述第二有源构件包括低温多晶硅，所述第二有源构件、所述第二绝缘层、所述第二栅极层、所述第三绝缘层、所述第二源漏极层以及所述第一绝缘层构成第二驱动电路层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述对所述第一光阻单元、所述第二光阻单元以及所述第三光阻单元进行第一灰化工艺的步骤之前，所述利用所述多段式掩膜版对所述第一光阻层的材料图案化处理的步骤，还包括：

在未被所述第一光阻单元、所述第二光阻单元以及所述第三光阻单元覆盖的所述第一有源材料层上形成与所述第一过孔对应的第二过孔，所述第二过孔贯穿所述第一有源材料层；

在未被所述第一有源材料层覆盖的所述第一绝缘层上形成与所述第二过孔对应的第三过孔，所述第三过孔使所述第二源漏极层裸露。