[发明专利]阵列基板及其制作方法

说明书

本申请公开了一种阵列基板及其制作方法。该阵列基板的制作方法包括：在衬底上形成第一有源材料层及第一光阻层；利用一多段式掩膜版对该第一有源材料层及该第一光阻层图案化处理，形成第一驱动电路层的第一有源构件以及第一光阻图案，该第一光阻图案在该第一有源构件上的正投影位于该第一有源构件内；利用预设工艺对该第一光阻图案及未被该第一光阻图案覆盖的该第一有源构件处理，形成保护构件以及形成第一降阻部；在该衬底上形成与该第一降阻部电连接的第一源漏极层。本申请通过在第一有源构件上设置保护构件，在邻近膜层蚀刻过程中，避免了第一有源构件被损坏，提高了阵列基板的良率。

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是显示面板的主要驱动元件，利用低温多晶硅TFT作栅极驱动与利用金属氧化物TFT作显示像素驱动的混合TFT既能提高栅极驱动电路中的驱动电流，又可以降低显示像素驱动时的漏电流，是工厂研发的重要方向。

目前，金属氧化物TFT通常采用背沟道蚀刻结构，在邻近膜层进行刻蚀，尤其是干法刻蚀时，容易损伤氧化物半导体，造成阵列基板电性异常。

因此，亟需一种阵列基板及其制作方法以解决上述技术问题。

发明内容

本申请提供了一种阵列基板及其制作方法，以解决目前在邻近膜层进行刻蚀时，容易损伤金属氧化物TFT的氧化物半导体，造成电性异常的技术问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

一种阵列基板的制作方法，包括：

在衬底上形成第一有源材料层及第一光阻层；

利用一多段式掩膜版对所述第一有源材料层及所述第一光阻层图案化处理，以使所述第一有源材料层形成第一驱动电路层的第一有源构件，以及使所述第一光阻层形成第一光阻图案，所述第一光阻图案在所述第一有源构件上的正投影位于所述第一有源构件内；

利用预设工艺对所述第一光阻图案及未被所述第一光阻图案覆盖的所述第一有源构件处理，使所述第一光阻图案形成保护构件以及使未被所述第一光阻图案覆盖的所述第一有源构件形成第一降阻部；

在所述衬底上形成与所述第一降阻部电连接的第一源漏极层。

在本申请的阵列基板的制作方法中，所述利用一多段式掩膜版对所述第一有源材料层及所述第一光阻层图案化处理，以使所述第一有源材料层形成第一驱动电路层的第一有源构件，以及使所述第一光阻层形成第一光阻图案的步骤，包括：

将一所述多段式掩膜版置于所述第一光阻层的一侧；

利用所述多段式掩膜版对所述第一光阻层的材料图案化处理，以在所述第一光阻层上形成不同厚度的第一光阻单元、第二光阻单元、第三光阻单元以及第一过孔；

对所述第一光阻单元、所述第二光阻单元以及所述第三光阻单元进行第一灰化工艺，去除所述第一光阻单元以及降低所述第二光阻单元与所述第三光阻单元的厚度，以形成第二光阻图案；

对所述第二光阻图案进行第二灰化工艺，去除所述第二光阻单元以及降低所述第三光阻单元的厚度，以形成所述第一光阻图案。

在本申请的阵列基板的制作方法中，所述多段式掩膜版包括第一透光区、第二透光区、第三透光区以及第四透光区，所述第一透光区与所述第一过孔对应，所述第二透光区与所述第一光阻单元对应，所述第三透光区与所述第二光阻单元对应，所述第四透光区与所述第三光阻单元对应。

在本申请的阵列基板的制作方法中，所述利用预设工艺对所述第一光阻图案及未被所述第一光阻图案覆盖的所述第一有源构件处理，使所述第一光阻图案形成保护构件以及使未被所述第一光阻图案覆盖的所述第一有源构件形成第一降阻部的步骤，包括：