[发明专利]一种半导体制造方法及工艺室

说明书

本发明的一种半导体的制造方法及工艺室，在蚀刻工艺中控制室内反应压力至第一压力范围，并同步控制所述晶圆表面温度降低至第一温度范围以改善反应性和选择比，减少附产物的产出，在清洗工艺中控制室内反应压力从所述第一压力降低至第二压力范围，并同步控制所述晶圆表面温度从所述第一温度范围加温至第二温度范围来加快附产物的去除速度。通过重复执行所述蚀刻工艺和所述清洗工艺，直至达到蚀刻目标量。可见本发明的方法从改善反应性和选择比和加快附产物的去除速度两方面对附产物进行针对性处理，故而能够有效的去除清洗工艺中产生的附产物，能够提高清洗生产效率。

技术领域

本发明涉及半导体器件加工技术领域，尤其涉及一种半导体制造方法及工艺室。

背景技术

为了在晶圆上形成半导体器件的结构的时候，需要对晶圆表面使用干式清洗工艺进行清洗，但在清洗时会产生附产物影响半导体器件的性能。

目前使用改变压力的方式去除清洗工艺中的附产物，但是这种方式对清洗生产效率提高的效果有限。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种半导体制造方法及工艺室。

一方面，本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案：

一种半导体制造方法，包括：

将晶圆置入工艺室中；

在蚀刻工艺中控制室内反应压力至第一压力范围，并同步控制所述晶圆表面温度降低至第一温度范围；

在清洗工艺中控制所述室内反应压力从所述第一压力降低至第二压力范围，并同步控制所述晶圆表面温度从所述第一温度范围加温至第二温度范围；

重复执行所述蚀刻工艺和所述清洗工艺，直至达到蚀刻目标量。

优选的，所述反应气体可为单一气体或者混合气体。

优选的，所述同步控制所述晶圆表面温度从所述第一温度范围加温至第二温度范围，具体包括：

在控制所述室内反应压力时，同步利用加热光源对所述晶圆表面加热，控制所述晶圆表面温度从所述第一温度范围加温至第二温度范围。

优选的，所述加热光源包括：疝气灯、激光。

优选的，所述晶圆表面温度为-20℃到2000℃。

优选的，所述重复执行所述蚀刻工艺和所述清洗工艺，直至达到蚀刻目标量，具体包括：

获得执行一轮所述蚀刻工艺和所述清洗工艺后得到的当前蚀刻量以及当前重复次数；

根据当前蚀刻量和当前重复次数得到蚀刻总量；

若所述蚀刻总量未达到所述蚀刻目标量，则继续重复执行所述蚀刻工艺和所述清洗工艺并计算；

若所述蚀刻总量达到所述蚀刻目标量，则截止。

另一方面，本申请通过本申请的一实施例，提供如下技术方案：

一种工艺室，包括：

反应腔室；

在所述反应腔室中设有置物台和气体输入输出管道，在所述反应腔室顶部设有加热光源；

控制器，在蚀刻工艺中控制室内反应压力至第一压力范围，并同步控制所述晶圆表面温度降低至第一温度范围；在清洗工艺中控制所述室内反应压力从所述第一压力降低至第二压力范围，并同步控制所述晶圆表面温度从所述第一温度范围加温至第二温度范围；重复执行所述蚀刻工艺和所述清洗工艺，直至达到蚀刻目标量。

本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：