[发明专利]一种半导体制造方法及工艺室在审
| 申请号： | 202011259994.0 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN114496720A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 姜喆求;高建峰;刘卫兵;白国斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制造 方法 工艺 | ||
1.一种半导体制造方法，其特征在于，包括：
将晶圆置入工艺室中；
在蚀刻工艺中控制室内反应压力至第一压力范围，并同步控制所述晶圆表面温度降低至第一温度范围；
在清洗工艺中控制所述室内反应压力从所述第一压力降低至第二压力范围，并同步控制所述晶圆表面温度从所述第一温度范围加温至第二温度范围；
重复执行所述蚀刻工艺和所述清洗工艺，直至达到蚀刻目标量。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应气体可为单一气体或者混合气体。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述同步控制所述晶圆表面温度从所述第一温度范围加温至第二温度范围，具体包括：
在控制所述室内反应压力时，同步利用加热光源对所述晶圆表面加热，控制所述晶圆表面温度从所述第一温度范围加温至第二温度范围。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述加热光源包括：疝气灯、激光。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆表面温度为-20℃到2000℃。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述重复执行所述蚀刻工艺和所述清洗工艺，直至达到蚀刻目标量，具体包括：
获得执行一轮所述蚀刻工艺和所述清洗工艺后得到的当前蚀刻量以及当前重复次数；
根据当前蚀刻量和当前重复次数得到蚀刻总量；
若所述蚀刻总量未达到所述蚀刻目标量，则继续重复执行所述蚀刻工艺和所述清洗工艺并计算；
若所述蚀刻总量达到所述蚀刻目标量，则截止。
7.一种工艺室，其特征在于，包括：
反应腔室；
在所述反应腔室中设有置物台和气体输入输出管道，在所述反应腔室顶部设有加热光源；
控制器，在蚀刻工艺中控制室内反应压力至第一压力范围，并同步控制所述晶圆表面温度降低至第一温度范围；在清洗工艺中控制所述室内反应压力从所述第一压力降低至第二压力范围，并同步控制所述晶圆表面温度从所述第一温度范围加温至第二温度范围；重复执行所述蚀刻工艺和所述清洗工艺，直至达到蚀刻目标量。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
