[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：提供一包括阵列区和边缘区的基板；在基板上形成复合层，复合层包括非晶硅层和二氧化硅层，且二氧化硅层位于非晶硅层远离基板的表面；采用第一等离子体对阵列区上的二氧化硅层进行干法刻蚀，以露出阵列区上的非晶硅层的部分表面；采用第二等离子体对露出部分表面的非晶硅层进行等离子体表面处理；对等离子体表面处理后的非晶硅层和干法刻蚀后的二氧化硅层进行清洗；在基板的边缘区和阵列区上的复合层上涂布光刻胶层，并曝光、显影。该半导体器的制造方法能够使经过处理的表面层更好地与光刻胶接合，从而提高图形转移的精准度。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，光刻工艺作为图形转移的重要方法，有着广泛的应用。随着半导体器件尺寸不断缩小，光刻过程中的图形转移也要求愈加精确。目前，半导体器件制造过程中前段光刻工艺在涂覆光刻胶进行曝光时，图形转移的精准度不高，进而降低了半导体器件的品质。

所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器的制造方法能够使经过处理的表面层更好地与光刻胶接合，从而提高图形转移的精准度。

为实现上述发明目的，本公开采用如下技术方案：

根据本公开的一个方面，提供一种半导体器件的制造方法，所述制造方法包括：

提供一基板，所述基板包括阵列区和边缘区；

在所述基板上形成复合层，所述复合层包括非晶硅层和二氧化硅层，所述二氧化硅层位于所述非晶硅层远离所述基板的表面；

采用第一等离子体对所述阵列区上的所述二氧化硅层进行干法刻蚀，以露出所述阵列区上的所述非晶硅层的部分表面；

采用第二等离子体对露出部分表面的所述非晶硅层进行等离子体表面处理；

对等离子体表面处理后的所述非晶硅层和干法刻蚀后的所述二氧化硅层进行清洗；

在所述边缘区和所述阵列区上的所述复合层上涂布光刻胶层，并曝光、显影。

在本公开的一种示例性实施例中，对等离子体表面处理后的所述非晶硅层和干法刻蚀后的所述二氧化硅层进行清洗，包括：

采用气体吹拂等离子体表面处理后的所述非晶硅层和干法刻蚀后的所述二氧化硅层；

采用液体对所述气体吹拂后的所述二氧化硅层和所述非晶硅层进行清洗。

在本公开的一种示例性实施例中，所述气体为氮气，所述液体为等离子水。

在本公开的一种示例性实施例中，在采用第一等离子体对所述阵列区的所述二氧化硅层进行干法刻蚀之前，所述制造方法还包括：

在腔体内对第一气体进行电离操作，以形成所述第一等离子体；所述第一气体为氧气和六氟丁二烯的混合气体或者氧气和八氟环丁烷的混合气体。

在本公开的一种示例性实施例中，在采用第二等离子体对露出的所述非晶硅层表面进行等离子体表面处理之前，所述制造方法还包括：

在所述腔体内对第二气体进行电离操作，以形成所述第二等离子体；所述第二气体为氧化二氮或氦气。

在本公开的一种示例性实施例中，在所述第二气体为氧化二氮时，所述第二气体的气体流量为4000标准毫升/分钟～6000标准毫升/分钟；

在所述第二气体为氦气时，所述第二气体的气体流量为1000标准毫升/分钟～3000标准毫升/分钟。