[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011259983.2 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN114496737A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张传洋 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L21/822;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板，所述基板包括阵列区和边缘区；
在所述基板上形成复合层，所述复合层包括非晶硅层和二氧化硅层，所述二氧化硅层位于所述非晶硅层远离所述基板的表面；
采用第一等离子体对所述阵列区上的所述二氧化硅层进行干法刻蚀，以露出所述阵列区上的所述非晶硅层的部分表面；
采用第二等离子体对露出部分表面的所述非晶硅层进行等离子体表面处理；
对等离子体表面处理后的所述非晶硅层和干法刻蚀后的所述二氧化硅层进行清洗；
在所述边缘区和所述阵列区上的所述复合层上涂布光刻胶层，并曝光、显影。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，对等离子体表面处理后的所述非晶硅层和干法刻蚀后的所述二氧化硅层进行清洗，包括：
采用气体吹拂等离子体表面处理后的所述非晶硅层和干法刻蚀后的所述二氧化硅层；
采用液体对所述气体吹拂后的所述二氧化硅层和所述非晶硅层进行清洗。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述气体为氮气，所述液体为等离子水。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在采用第一等离子体对所述阵列区的所述二氧化硅层进行干法刻蚀之前，所述制造方法还包括：
在腔体内对第一气体进行电离操作，以形成所述第一等离子体；所述第一气体为氧气和六氟丁二烯的混合气体或者氧气和八氟环丁烷的混合气体。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在采用第二等离子体对露出的所述非晶硅层表面进行等离子体表面处理之前，所述制造方法还包括：
在所述腔体内对第二气体进行电离操作，以形成所述第二等离子体；所述第二气体为氧化二氮或氦气。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述第二气体为氧化二氮时，所述第二气体的气体流量为4000标准毫升/分钟～6000标准毫升/分钟；
在所述第二气体为氦气时，所述第二气体的气体流量为1000标准毫升/分钟～3000标准毫升/分钟。
7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，对所述第二气体进行电离操作的射频能量的取值范围为600瓦～800瓦。
8.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述腔体内的压力取值范围为4托～6托。
9.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第二气体为氖气、氩气和氧气之中的一种或多种。
10.一种半导体器件，其特征在于，采用权利要求1～9任意一项所述的制造方法制造而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
