[发明专利]一种用于MiniLED巨量转移的多层结构胶带及其制备方法

说明书

本发明公开了一种用于MiniLED巨量转移的多层结构胶带，包括第一胶层、高透基材和第二胶层，所述第一胶层和第二胶层贴合在高透基材两侧，所述第一胶层和第二胶层均为有机硅胶层。一种用于MiniLED巨量转移的多层结构胶带的制备方法，包括以下步骤：S1、将高粘有机硅树脂、低粘有机硅树脂、交联剂、催化剂和锚固剂，放入搅拌釜中搅拌1小时，得到有机硅层胶黏剂；S2、将制得的有机硅层胶黏剂涂布于高透基材一侧，经过烘箱烘烤，得到第一胶层；S3、将制得的有机硅层胶黏剂涂布于S2中高透基材另一侧，经过烘箱烘烤，制得第二胶层，得到成品。本发明巨量转移后转移效率更高，有机硅胶层不会遭受激光焊接的破坏，并且在移除过程中不会出现残胶、断裂等不良现象。

技术领域

本发明属于胶带技术领域，尤其涉及一种用于MiniLED巨量转移的多层结构胶带及其制备方法。

背景技术

MiniLED或MicroLED是将传统的LED结构薄膜化、微小化及矩阵化之后，采用PCB、柔性PCB及CMOS/TFT集成电路工艺等制成驱动电路，实现LED背光源中每个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。由于Mini LED技术的亮度、对比度、反应时间、可视角度、分辨率等各种指标都强于LCD，加上自发光、结构简单、体积小及节能的优点，已经受到了广泛的关注。

Mini LED芯片在制作完成之后，需要使用双面胶带转移到驱动电路板上形成LED阵列，称之为巨量转移。现有Mini LED巨量转移是用过SMT工艺完成，存在制程繁琐，能耗高，效率低等缺点。

发明内容

本发明目的在于提供一种用于MiniLED巨量转移的多层结构胶带及其制备方法，巨量转移后转移效率更高，比SMT效率提高数倍；有机硅胶层不会遭受激光焊接的破坏，并且在移除过程中不会出现残胶、断裂等不良现象。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种用于MiniLED巨量转移的多层结构胶带，包括第一胶层、高透基材和第二胶层，所述第一胶层和第二胶层贴合在高透基材两侧，所述第一胶层和第二胶层均为有机硅胶层。

上述技术方案中进一步改进的技术方案如下：

1、上述方案中，所述第一胶层和第二胶层组成相同，按重量份计，包括：高粘有机硅树脂30～70份，低粘有机硅树脂30～70份，交联剂0.01～1份，催化剂0.1～3份，锚固剂0.1～3份，所述高粘有机硅树脂重均分子量为50万～60万，所述低粘有机硅树脂重均分子量为5万～15万，高粘有机硅树脂和低粘有机硅树脂的比例及交联剂含量对最终胶层的粘着力有着极大的影响，所以在选择有机硅树脂时需要严格按照此范围筛选。

2、上述方案中，所述高粘有机硅树脂可以是陶氏道康宁的4600FC、7657、7667、7687；瓦克的SY 300、IC 863、REN 168、SY 409；康利邦的KL-7685、KL2637、KL2638-1、KL-6601中的任意一种；所述低粘有机硅树脂可以是陶氏道康宁的7645、7646、7647、7660；瓦克的IC 232、SY 231、IC 368、IC 678；康利邦的KL-6620、KL-6626、KL-9302中的任意一种。所述交联剂为含氢硅油可以是陶氏道康宁的7028、7678、瓦克的V24中的任意一种。所述催化剂为铂金催化剂。所述锚固剂可以是陶氏道康宁的297、9250中的任意一种。

3、上述方案中，所述第一胶层的厚度为30～70μm，粘着力为5～30g；第二胶层厚度均为10～30μm，粘着力为2～20g。

4、上述方案中，所述第一胶层的厚度40～60μm，粘着力为10～20g；第二胶层厚度均为15～25μm，粘着力为5～15g。

5、上述方案中，所述高透基材为PET、PE、PC、PMMA或PP，厚度为25～75μm，透过率大于88％，优选地，透过率＞90％，进一步地透过率＞92％。