[发明专利]一种去除芯片表面氧化硅的装置及方法在审

专利信息
申请号: 202011257581.9 申请日: 2020-11-10
公开(公告)号: CN112382589A 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 王东铭;许忠晖;陈嘉勇 申请(专利权)人: 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 张洋
地址: 250000 山东省济南市*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 去除 芯片 表面 氧化 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种去除芯片表面氧化硅的装置,其特征在于,包括加热机构,所述加热机构包括上加热器和下加热器,所述上加热器和所述下加热器的加热面平行且相对设置,用于分别对芯片的上表面和下表面加热。

2.根据权利要求1所述的去除芯片表面氧化硅的装置,其特征在于,所述上加热器和所述下加热器分别包括多个相互连接的加热区域,所述上加热器的多个所述加热区域与所述下加热器的多个所述加热区域一一对应。

3.根据权利要求2所述的去除芯片表面氧化硅的装置,所述加热机构还包括电连接的温度检测器和信号接收器,所述温度检测器设置在所述加热区域上,用于检测所述加热区域的子加热面的温度,所述信号接收器用于接收所述温度检测器发送的温度信号并对所述温度信号进行分析。

4.根据权利要求3所述的去除芯片表面氧化硅的装置,所述加热机构还包括与所述信号接收器电连接的温度控制器,所述温度控制器在接收到所述信号接收器发送的控制信号后控制所述加热区域的温度。

5.根据权利要求2所述的去除芯片表面氧化硅的装置,多个所述加热区域的子加热面中的其中之一呈圆形、其余呈环形,环形的所述子加热面依次包裹圆形的所述子加热面。

6.根据权利要求2所述的去除芯片表面氧化硅的装置,多个所述加热区域的子加热面呈矩形,多个矩形的所述子加热面并排连接。

7.根据权利要求2所述的去除芯片表面氧化硅的装置,所述加热区域上设有散热孔。

8.根据权利要求7所述的去除芯片表面氧化硅的装置,所述散热孔包括多个,多个所述散热孔沿所述加热区域的子加热面均匀分布。

9.根据权利要求1所述的去除芯片表面氧化硅的装置,还包括设置在所述上加热器和所述下加热器之间的加热空间侧面的排气机构,所述排气机构用于抽吸所述加热空间内的磷酸气体。

10.一种去除芯片表面氧化硅的方法,采用如权利要求1-9中任意一项所述的去除芯片表面氧化硅的装置,其特征在于,所述方法包括:

将芯片放置在所述去除芯片表面氧化硅的装置的上加热器和下加热器之间;

采用所述上加热器和所述下加热器分别对所述芯片的上表面和下表面加热。

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