[发明专利]一种去除芯片表面氧化硅的装置及方法

说明书

本发明公开了一种去除芯片表面氧化硅的装置及方法，涉及半导体技术领域。去除芯片表面氧化硅的装置包括加热机构，加热机构包括上加热器和下加热器，上加热器和下加热器的加热面平行且相对设置，用于分别对芯片的上表面和下表面加热。上述去除芯片表面氧化硅的装置通过上加热器和下加热器同时对芯片的上下表面进行加热，可以提高加热速度，使芯片尽快升温并保证上下表面温度均匀，达到精确的温度控制，减少了产品缺陷，提高了良品率。同时，还可以避免上加热器和下加热器长时间在高功率条件下工作，有效提高了上加热器和下加热器的寿命，节省了电能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种去除芯片表面氧化硅的装置及方法。

背景技术

在半导体工艺中，一般都使用硅的局部氧化工艺来对半导体芯片进行隔离处理，即在有源区以外的场区形成场氧化层，最终隔离出有源区和场区，用于后期半导体器件的制备。而对于芯片上多余的氮化硅薄膜，工艺上通常利用热磷酸在高温160℃以上的条件下来去除。

现有技术中通常采用一组加热模块对芯片表面进行升温，待温度达到210～215℃后，再利用热磷酸对芯片表面进行腐蚀以去除氧化硅层。但是，加热模块长期在高温环境下加热会导致其寿命变短。同时，上述加热方法还会造成芯片表面温度不均，造成芯片报废，增加材料的成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种去除芯片表面氧化硅的装置及方法，以解决现有技术中，加热装置寿命短，容易造成芯片报废的技术问题。

本发明的实施例是这样实现的：

本发明实施例的一方面，提供一种去除芯片表面氧化硅的装置，包括加热机构，加热机构包括上加热器和下加热器，上加热器和下加热器的加热面平行且相对设置，用于分别对芯片的上表面和下表面加热。

可选地，上述上加热器和下加热器分别包括多个相互连接的加热区域，上加热器的多个加热区域与下加热器的多个加热区域一一对应。

可选地，上述加热机构还包括电连接的温度检测器和信号接收器，温度检测器设置在加热区域上，用于检测加热区域的子加热面的温度，信号接收器用于接收温度检测器发送的温度信号并对温度信号进行分析。

可选地，上述加热机构还包括与信号接收器电连接的温度控制器，温度控制器在接收到信号接收器发送的控制信号后控制加热区域的温度。

可选地，上述多个加热区域的子加热面中的其中之一呈圆形、其余呈环形，环形的子加热面依次包裹圆形的子加热面。

可选地，上述多个加热区域的子加热面呈矩形，多个矩形的子加热面并排连接。

可选地，上述加热区域上设有散热孔。

可选地，上述散热孔包括多个，多个散热孔沿加热区域的子加热面均匀分布。

可选地，上述去除芯片表面氧化硅的装置还包括设置在上加热器和下加热器之间的加热空间侧面的排气机构，排气机构用于抽吸加热空间内的磷酸气体。

本发明实施例的另一方面，提供一种去除芯片表面氧化硅的方法，采用上述任意一项的去除芯片表面氧化硅的装置，方法包括：将芯片放置在去除芯片表面氧化硅的装置的上加热器和下加热器之间；采用上加热器和下加热器分别对芯片的上表面和下表面加热。

本发明实施例的有益效果包括：