[发明专利]双频双极化高功率天线有效
| 申请号: | 202011253082.2 | 申请日: | 2020-11-11 |
| 公开(公告)号: | CN112421226B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
| 发明(设计)人: | 何清明;肖开奇;陈宏;朱庆流;张杰;于伟;李智;黄迎春 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
| 主分类号: | H01Q1/50 | 分类号: | H01Q1/50;H01Q5/28;H01Q1/42 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 徐静 |
| 地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 双频 极化 功率 天线 | ||
1.一种双频双极化高功率天线,其特征在于,包括:频率1极化H输入端口,频率1极化V输入端口,频率2极化H输入端口,频率2极化V输入端口,以及依次连接的高频方波导、低频方波导、多模喇叭体和天线罩;
所述频率1极化H输入端口依次通过阶梯谐振窗1和耦合窗口1与低频方波导耦合;所述频率1极化V输入端口通过阶梯谐振窗2和耦合窗口2与低频方波导耦合;所述频率2极化H输入端口通过阶梯谐振窗3和耦合窗口3与高频方波导耦合;所述频率2极化V输入端口通过阶梯谐振窗4和耦合窗口4与高频方波导耦合;由于低频方波导在高频方波导与多模喇叭体之间,所述低频方波导也即双频共用方波导;
所述低频方波导与高频方波导的横截面同轴且各边平行,并且所述低频方波导与高频方波导的边长比取值范围为1.3:1~1.8:1;
所述天线罩为聚四氟乙烯天线罩;所述聚四氟乙烯天线罩的两侧具有波纹环结构。
2.根据权利要求1所述的双频双极化高功率天线,其特征在于,所述低频方波导的横截面与多模喇叭体底面同轴,并且所述低频方波导的横截面对角线长度与多模喇叭体底面内直径相等。
3.根据权利要求1所述的双频双极化高功率天线,其特征在于,所述阶梯谐振窗1和阶梯谐振窗2的长度取值范围为1/10λg~1/6λg,其中,λg为相应方波导段在TE10模式下的波导波长;所述阶梯谐振窗3和阶梯谐振窗4为1/4波长阶梯阻抗变换器。
4.根据权利要求1所述的双频双极化高功率天线,其特征在于,所述频率1极化H输入端口,频率1极化V输入端口,频率2极化H输入端口和频率2极化V输入端口的位置关系为:
D1=3/4λg;D1表示频率1极化H输入端口相对于高频方波导和低频方波导接触面的距离;
D2=5/4λg;D2表示频率1极化V输入端口相对于高频方波导和低频方波导接触面的距离;
D3=1/5λg~2/5λg;D3表示频率2极化H输入端口相对于高频方波导远离低频方波导一端的距离;
D4=6/5λg~4/3λg;D4表示频率2极化V输入端口相对于高频方波导远离低频方波导一端的距离;
其中,λg为相应方波导段在TE10模式下的波导波长。
5.根据权利要求1所述的双频双极化高功率天线,其特征在于,所述频率1极化H输入端口,频率1极化V输入端口,频率2极化H输入端口和频率2极化V输入端口朝向同一方向。
6.根据权利要求1所述的双频双极化高功率天线,其特征在于,所述天线罩截面与多模喇叭体顶面同轴,并且所述天线罩的直径与多模喇叭体顶面外直径相等。
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