[发明专利]半导体器件和控制半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括被形成在半导体衬底上的存储器单元和开关电路，

其中所述开关电路被设置在所述存储器单元外部，并且所述开关电路被电连接至所述存储器单元，

其中所述存储器单元包括多个晶体管，所述多个晶体管包括第一晶体管，

其中所述开关电路包括被电连接至所述第一晶体管的第二晶体管，

其中所述第二晶体管包括：

第一字栅极，被形成在第一栅极绝缘膜上；

第一耦合栅极，被形成在第二栅极绝缘膜上，所述第二栅极绝缘膜具有比所述第一栅极绝缘膜厚的厚度，

其中在所述第二晶体管中，当电流流过所述开关电路时，第一电压从所述开关电路的外部被供应，使得所述半导体衬底的在所述第一字栅极之下的第一区域变为导电状态，

其中在所述第二晶体管中，当电流流过所述开关电路时，第二电压从所述开关电路的外部被供应，使得所述半导体衬底的在所述第一耦合栅极之下的第二区域变为导电状态，并且

其中所述第二电压高于所述第一电压。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一晶体管包括：

第二字栅极，被形成在第三栅极绝缘膜上；以及

第二耦合栅极，被形成在第四栅极绝缘膜上，所述第四栅极绝缘膜具有比所述第三栅极绝缘膜厚的厚度，

其中所述第一晶体管包括第一源极电极，所述第一源极电极被电连接至所述第二晶体管的第二源极电极，

其中在所述第一晶体管中，当电流流过所述存储器单元时，第三电压从所述存储器单元的外部被供应，使得所述半导体衬底的在所述第二字栅极之下的第三区域变为导电状态，

其中在所述第一晶体管中，当电流流过所述存储器单元时，第四电压从所述存储器单元的外部被供应，使得所述半导体衬底的在所述第二耦合栅极之下的第四区域变为导电状态，

其中所述第四电压高于所述第三电压，并且

其中所述第二电压低于所述第四电压。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一晶体管包括：

第二字栅极，被形成在第三栅极绝缘膜上；以及

第二耦合栅极，被形成在第四栅极绝缘膜上，所述第四栅极绝缘膜具有比所述第三栅极绝缘膜厚的厚度，

其中所述第一晶体管的第一源极电极被电耦合至所述第二晶体管的第二源极电极，

其中在所述第一晶体管中，当电流流过所述存储器单元时，第三电压从所述存储器单元的外部被供应，使得所述半导体衬底的在所述第二耦合栅极之下的第三区域变为导电状态，

其中在所述第一晶体管中，当电流流过所述存储器单元时，第四电压从所述存储器单元的外部被供应，使得所述半导体衬底的在所述第二耦合栅极之下的第四区域变为导电状态，

其中所述第四电压高于所述第三电压，并且

其中所述第二电压与所述第四电压基本上相同。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中在停止向所述第二字栅极供应所述第三电压之后，所述第二耦合栅极被供应有所述第四电压，并且

其中在停止向所述第二字栅极供应所述第三电压之后，所述第一耦合栅极被供应有所述第二电压。