[发明专利]一种新型电阻及其制造方法

说明书

本发明提供的新型电阻的制造方法，包括：提供一基材，所述基材的材质为含金属化合物的不导电材质；利用激光照射所述基材的表面，以在所述基材的表面形成图形化的导电线路，进而形成新型电阻。通过在基材表面进行激光照射，使得基材中的金属化合物部分转化为金属膜，从不导电的状态转化为导电状态，进而在基材表面激光照射过的区域上形成了导电线路，该导电线路即可以作为电阻使用。由于激光加工速度快、稳定性高、操作简便，解决了现有电阻制造工艺较为复杂的问题。

技术领域

本发明涉及电阻器技术领域，特别涉及一种新型电阻及其制造方法。

背景技术

电阻器通常称之为电阻，是一个限流元件。将电阻接在电路中后，电阻器的阻值是固定的，可限制通过它所连支路的电流大小。电阻按材料可以分为线绕电阻器、碳合成电阻器、碳膜电阻器、金属膜电阻器和金属氧化膜电阻器等。

线绕电阻器是用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成，外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。线绕电阻具有较低的温度系数，阻值精度高，稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺点是高频性能差，时间常数大。

碳合成电阻器由碳及合成塑胶压制而成。

碳膜电阻器在瓷管上镀上一层碳而成，将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低，是目前应用最广泛的电阻器。

金属膜电阻器在瓷管上镀上一层金属而成，用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。金属膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定性好，噪声，温度系数小。在仪器仪表及通讯设备中大量采用。

金属氧化膜电阻器在瓷管上镀上一层氧化锡而成，在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高温下稳定，耐热冲击，负载能力强。

而现有技术中的电阻在制造工艺上通常较为复杂，且作为固定电阻阻值通常无法通过改变电阻结构来进行改变。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新型电阻及其制造方法，以至少解决现有电阻制造工艺较为复杂的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种新型电阻的制造方法，包括：提供一基材，所述基材的材质为含金属化合物的不导电材质；利用激光照射所述基材的表面，以在所述基材的表面形成图形化的导电线路，进而形成新型电阻。

可选的，在所述的新型电阻的制造方法中，所述基材为金属化合物陶瓷。

可选的，在所述的新型电阻的制造方法中，所述基材为金属氧化物陶瓷或金属氮化物陶瓷。

可选的，在所述的新型电阻的制造方法中，所述导电线路的厚度为0.1～10nm。

可选的，在所述的新型电阻的制造方法中，所述新型电阻的制造方法还包括：改变激光照射参数，以改变所述导电线路的电流导通能力，进而改变所述新型电阻的阻值。

可选的，在所述的新型电阻的制造方法中，所述激光照射参数包括激光波长、激光能量、激光频率、激光照射间隙时间和激光照射次数。

可选的，在所述的新型电阻的制造方法中，所述新型电阻的制造方法还包括：改变所述导电线路的形状，以改变所述新型电阻的阻值。

为解决上述技术问题，本发明还提供一种如上任一项所述的新型电阻的制造方法制造的新型电阻，所述新型电阻包括基材和形成于基材表面的导电线路。

可选的，在所述的新型电阻中，所述新型电阻的阻值满足R＝K×L/W，其中K为常数，L为所述导电线路的长度，W为所述导电线路的宽度。

可选的，在所述的新型电阻中，K的取值为10～100。