[发明专利]一种新型电阻及其制造方法在审
| 申请号： | 202011251628.0 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112420300A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 毛利坚 | 申请（专利权）人： | 昆山丰景拓电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C17/00 | 分类号： | H01C17/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 电阻 及其 制造 方法 | ||
1.一种新型电阻的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基材，所述基材的材质为含金属化合物的不导电材质；
利用激光照射所述基材的表面，以在所述基材的表面形成图形化的导电线路，进而形成新型电阻。
2.根据权利要求1所述的新型电阻的制造方法，其特征在于，所述基材为金属化合物陶瓷。
3.根据权利要求2所述的新型电阻的制造方法，其特征在于，所述基材为金属氧化物陶瓷或金属氮化物陶瓷。
4.根据权利要求1所述的新型电阻的制造方法，其特征在于，所述导电线路的厚度为0.1～10nm。
5.根据权利要求1所述的新型电阻的制造方法，其特征在于，所述新型电阻的制造方法还包括：改变激光照射参数，以改变所述导电线路的电流导通能力，进而改变所述新型电阻的阻值。
6.根据权利要求5所述的新型电阻的制造方法，其特征在于，所述激光照射参数包括激光波长、激光能量、激光频率、激光照射间隙时间和激光照射次数。
7.根据权利要求1所述的新型电阻的制造方法，其特征在于，所述新型电阻的制造方法还包括：改变所述导电线路的形状，以改变所述新型电阻的阻值。
8.一种利用如权利要求1～7任一项所述的新型电阻的制造方法制造的新型电阻，其特征在于，所述新型电阻包括基材和形成于基材表面的导电线路。
9.根据权利要求8所述的新型电阻，其特征在于，所述新型电阻的阻值满足R＝K×L/W，其中K为常数，L为所述导电线路的长度，W为所述导电线路的宽度。
10.根据权利要求9所述的新型电阻，其特征在于，K的取值为10～100。
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