[发明专利]一种超细纳米晶钨材料的制备方法

权利要求书

1.一种超细纳米晶钨材料的制备方法，其特征在于，以非晶材料晶化理论为基础，采用反应磁控溅射结合氢气热处理法，包括以下步骤：

1)将衬底基片利用酒精进行超声清洗，使用氮气吹干后安装在基盘上，并覆盖掩模版；

2)将溅射靶材安装在靶枪上使用，调整靶材与基片间的距离；

3)向溅射室内通入氩气和微量氧气，对靶材进行预溅射，去除靶材表层的氧化物杂质；

4)移除基片上端的掩模版，在基片表面沉积薄膜；

5)将覆膜后的基片进行切割，放入管式热处理中，在氢气气氛下进行退火处理；

溅射过程中衬底基片的温度为室温；

所用溅射靶材为纯钨靶材；

靶材与基片间距离为12cm；

所述步骤3)中，氩气和氧气的流量比例分别为48.5：1.5，预溅射功率为150W，预溅射时间为5-10min；

所述步骤4)中，磁控溅射薄膜时真空度为(7.0-7.5)×10^-3Toor，溅射功率为150W，沉积时间为90min；

所述步骤5)中，氢气退火薄膜时温度为400℃，时间为1h。