[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

沿垂直于玻璃基板的方向，在所述玻璃基板上依次铺设隔离层、金属层和光阻膜层；

对所述光阻膜层进行曝光显影处理；

对所述隔离层和所述金属层进行初蚀刻处理；

对所述金属层进行二次蚀刻处理，使得沿所述玻璃基板的平面方向，所述隔离层的外周与所述金属层的外周之间的间距为0.1-0.8μm；

去除所述光阻膜层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成所述隔离层的材料包括钼、钛、铌和铊中的至少两种。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述初步蚀刻处理采用第一蚀刻液进行蚀刻处理；相对于所述第一蚀刻液的总重量，所述第一蚀刻液包括0.01-1％重量比的氟化物、5-40％重量比的过氧化氢、0.01-5％重量比的含有氮原子和硫原子的化合物、0.1-5％重量比的同时含有氨基和羧酸基的第一螯合剂和用于调节所述第一蚀刻液pH值的有机酸；所述第一蚀刻液的pH为3.5-4.5；

其中，所述含有氮原子和硫原子的化合物为硫醇基咪唑啉、2-硫醇基-1-甲基咪唑啉、2-巯基噻唑、2-氨基噻唑、巯基三唑、氨基巯基三唑、巯基四氮唑、甲基巯基四氮唑、噻唑、苯基噻唑、2-甲基苯丙噻唑、2-氨基苯丙噻唑及2-巯基苯丙噻唑中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述初步蚀刻处理的时间为100-120s。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述二次蚀刻处理采用第二蚀刻液处理；相对于所述第二蚀刻液的总重量，所述第二蚀刻液包括5-15％重量比的过氧化氢、5-20％重量比的第二螯合剂和用于调节所述第二蚀刻液的pH值的胺类化合物；

所述第二蚀刻液的pH为4-5。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述二次蚀刻处理的时间为10s～80s。

7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板由权利要求1-6任一项所述的制备方法制备得到。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，沿垂直于所述玻璃基板的方向，所述隔离层的厚度为

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，沿垂直于所述玻璃基板的方向，所述金属层的厚度为

10.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，相对于所述金属层的平面方向，所述金属层的侧面为斜面；所述金属层的平面方向与所述斜面之间的夹角为30-60°。