[发明专利]用于高隔离开关的设备和方法在审

专利信息
申请号: 202011247236.7 申请日: 2016-06-02
公开(公告)号: CN112466843A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 肯特·耶格;劳伦斯·E·科内尔 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L21/761;H01L23/522;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 用于 隔离 开关 设备 方法
【说明书】:

实施例集成电路包含开关和所述开关上方的导电线。所述开关包含栅极;位于半导体基板的顶表面处的第一源极/漏极区;以及位于所述半导体基板的所述顶表面处的第二源极/漏极区。所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区安置于所述栅极的相对侧上。第一导电线的至少一部分与所述栅极对准,并且所述第一导电线电耦合到接地装置。

相关申请案的交叉参考

发明要求2015年6月3日递交的发明名称为“用于高隔离开关的设备和方法(Device and Method for a High Isolation Switch)”的第14/730,018号美国非临时申请案的在先申请优先权,该在先申请的内容以引入的方式并入。

技术领域

本发明大体上涉及用于集成电路组件的设备和方法,并且在特定实施例中,涉及用于高隔离开关的设备和方法。

背景技术

在典型的联网设备中,集成电路使用各种开关来支持不同的功能性。例如,蜂窝式收发器可支持载波聚合,这使得两个独立频道可同步接收。为了提供同步接收,使用至少两个接收混频器,每个接收混频器由独立的分频器驱动。这些分频器由并行运行的两个不同的压控振荡器(voltage-controlled oscillator,VCO)中的一个驱动或计时。还可在所述两个VCO之间选择每个分频器时钟输入,且通常使用二对一输入开关网络。

在这些类型的电路中,所述VCO通常以不同的频率同步运行。因此,开关之间需要高度隔离以减少通过禁用开关的能量耦合。例如,当能量通过禁用开关时,分频器的输入可出现杂波。所述杂波可通过分频器传播到接收混频器上,从而导致不需要的信号混合到所需波段中。通过提供输入开关之间的隔离来减少通过禁用开关的能量。

多开关电路可用于提供高度隔离。例如,可通过使用与接地分流开关串联的两个开关来实现良好隔离,所述接地分流开关放置在这两个开关之间。然而,此类方案需要至少两倍大的两个串联旁路开关来提供单开关电路的可比较电阻。因此,这两个串联开关结合所述分流开关的全部寄生电容比与单个开关相关的电容高约四倍。这不仅限制了这些开关的工作频率,也增加了功率消耗。

发明内容

根据本发明的实施例,集成电路包含开关和开关上方的导电线。所述开关包含:栅极,位于半导体基板的顶表面处的第一源极/漏极区,和位于所述半导体基板的所述顶表面处的第二源极/漏极区。所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区安置于所述栅极的相对侧上。所述第一导电线的至少一部分与所述栅极对准,并且所述第一导电线电耦合到接地装置。

根据另一实施例,集成电路结构包含:位于半导体基板的顶表面处的第一源极/漏极区;第二源极/漏极区,所述第二源极/漏极区与所述第一源极/漏极区相邻且安置于所述半导体基板的所述顶表面处;以及接地导电线,所述接地导电线安置于所述第一和第二源极/漏极区上方。所述接地导电线的至少一部分在所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间对准。所述集成电路结构进一步包含:第一导电线,所述第一导电线在所述第一源极/漏极区上方并且电连接到所述第一源极/漏极区;第一互连特征,所述第一互连特征将所述第一导电线电连接到安置于所述第一导电线上方的输入线;第二导电线,所述第二导电线在所述第二源极/漏极区上方并且电连接到所述第二源极/漏极区;以及第二互连特征,所述第二互连特征将所述第二导电线电连接到安置于所述第二导电线上方的输出线。

根据又一实施例,方法包含:提供具有栅极、第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的开关。所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区安置于所述栅极的相对侧上。所述方法进一步包含:在所述开关上方形成导电线并且将所述导电线电耦合到接地装置。所述导电线的至少一部分在所述源极区与所述漏极区之间对准。

附图说明

为了更完整地理解本发明及其优点,现在参考下文结合附图进行的描述,其中:

图1A和1B是根据一些实施例的二对一输入开关网路的电路拓扑;

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