[发明专利]用于高隔离开关的设备和方法

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

开关，所述开关包括：

栅极；

位于半导体基板的顶表面处的第一源极/漏极区；和

位于所述半导体基板的所述顶表面处的第二源极/漏极区，其中所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区安置于所述栅极的相对侧上；以及

所述开关上方的第一导电线，其中所述第一导电线的至少一部分与所述栅极对准，其中所述第一导电线电耦合到接地装置。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路进一步包括：

第二导电线，所述第二导电线与所述第一导电线处于同一层中，其中所述第二导电线电连接到所述第一源极/漏极区；

第三导电线，所述第三导电线与所述第一导电线处于同一层中，其中所述第三导电线电连接到所述第二源极/漏极区，其中所述第一导电线安置于所述第二导电线与所述第三导电线之间；

第一互连特征，所述第一互连特征将所述第二导电线电连接到输入线，其中所述输入线安置于高于所述第二导电线的第一导电线层中；以及

第二互连特征，所述第二互连特征将所述第三导电线电连接到输出线，其中所述输出线安置于高于所述第三导电线的第二导电线层中。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，进一步包括安置于所述第一互连特征与所述第二互连特征之间的第三互连特征，其中所述第三互连特征电耦合到接地装置。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述第一导电线通过所述第三互连特征电耦合到接地装置。

5.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述输入线和所述输出线安置于两个不同的导电线层中，其中所述两个不同的导电线层不相邻。

6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的集成电路，其特征在于，进一步包括与所述第一源极/漏极区或所述第二源极/漏极区相邻的掺杂区，其中所述掺杂区包括与所述第一源极/漏极区类型相反的掺杂剂，其中所述掺杂区电连接到接地装置。

7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的集成电路，其特征在于，所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区安置于半导体基板的隔离掺杂区内，其中所述隔离掺杂区具有与所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区相反的类型。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其特征在于，进一步包括环绕所述隔离掺杂区并且安置于所述隔离掺杂区下方的隔离区，其中所述隔离区包括与所述隔离掺杂区类型相反的掺杂剂。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述隔离区电连接到电源电压。

10.一种集成电路结构，其特征在于，包括：

位于半导体基板的顶表面处的第一源极/漏极区；

第二源极/漏极区，所述第二源极/漏极区与所述第一源极/漏极区相邻并且安置于所述半导体基板的所述顶表面处；

第一导电线，所述第一导电线在所述第一源极/漏极区上方并且电连接到所述第一源极/ 漏极区；

第一互连特征，所述第一互连特征将所述第一导电线电连接到安置于所述第一导电线上方的输入线；

第二导电线，所述第二导电线在所述第二源极/漏极区上方并且电连接到所述第二源极/漏极区；

第二互连特征，所述第二互连特征将所述第二导电线电连接到安置于所述第二导电线上方的输出线；

接地导电线，所述接地导电线安置于所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区上方，其中所述接地导电线的至少一部分在所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间对准；以及

接地导电壁，所述接地导电壁安置于所述第一互连特征与所述第二互连特征之间。

11.根据权利要求10所述的集成电路结构，其特征在于，所述接地导电线通过所述接地导电壁电连接到接地装置。