[发明专利]一种大尺寸X面KTP晶体及其生长方法有效
| 申请号： | 202011244403.2 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112391678B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 谭云东;张婷婷;杜曰强;方治文 | 申请（专利权）人： | 山东重山光电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/14 | 分类号： | C30B29/14;C30B9/12 |
| 代理公司： | 山东舜源联合知识产权代理有限公司 37359 | 代理人： | 于晓晓 |
| 地址： | 255138 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 ktp 晶体 及其 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种大尺寸X面KTP晶体生长方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)从可获得的X轴向的KTP原晶胚料中切割籽晶，籽晶的X面、Y面和Z面相互垂直，对籽晶其中一个X面与Z面相交的两条边细磨倒角，倒角边与竖直方向的夹角为45°；
(2)以KTP与K6P4O13的质量比＝0.46:1，将KH2PO4、TiO2和K2CO3充分均匀混合后置于铂金坩埚中，先升温至1000℃进行充分的熔化反应，反应时间为6h，然后升温至1100℃进行烧料，烧料时间为12h，再恒温搅拌24h，形成均匀稳定的熔体，最后冷却到熔液的饱和点；
以经倒角处理的X面为籽晶生长面，将籽晶浸入熔液中进行下种籽晶并生长，浸入深度为5mm，整个晶体生长周期的降温幅度为200℃，前43天降温速率为0.6℃/天，之后每天降温速率为2.6℃/天，生长周期共110天，晶体转动速度30r/min，晶体生长过程中不提拉籽晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东重山光电材料股份有限公司，未经山东重山光电材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011244403.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种科技文本命名实体识别方法
- 下一篇：一种坚果炒炉装置
