[发明专利]一种3D晶圆环切后的定位方法

说明书

本发明公开了一种3D晶圆环切后的定位方法，先对晶圆进行环切，去除晶圆外圈的厚度异常部位，再对环切后的晶圆进行两道平切，加工出一道短边和一道长边；通过物理方式对短边的一侧进行定位，通过感光传感器识别长边，进行长边一侧的定位；本方案取消了晶圆边缘的定位点，为3D晶圆的边沿的二次环切加工提出可能性；并在环切后的晶圆的边缘加工出长短边，设备镜头识别长边，同时利用另外一个短边实现物理定位，提高了可检测检查的面积，减小定位难度，结合了光学定位和物理定位的优点，提高定位精度。

技术领域

本发明涉及一种3D晶圆环切后的定位方法，属于半导体加工技术领域。

背景技术

晶圆在加工时需要先通过识别传感器定位，现有的方法是在晶圆的外缘边上做一个小的定位点，但由于目前3D晶圆的实施，晶圆外围厚度出现了变化，导致设备在晶圆定位时频繁出现“定位不良”报警，严重影响生产效率。

发明内容

针对上述存在的技术问题，本发明的目的是：提出了一种3D晶圆环切后的定位方法。

本发明的技术解决方案是这样实现的：一种3D晶圆环切后的定位方法，先对晶圆进行环切，去除晶圆外圈的厚度异常部位，再对环切后的晶圆进行两道平切，加工出一道短边和一道长边；通过物理方式对短边的一侧进行定位，通过感光传感器识别长边，进行长边一侧的定位。

优选的，所述短边与长边的中心线互相垂直。

由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：

本方案取消了晶圆边缘的定位点，为3D晶圆的边沿的二次环切加工提出可能性；并在环切后的晶圆的边缘加工出长短边，设备镜头识别长边，同时利用另外一个短边实现物理定位，提高了可检测检查的面积，减小定位难度，结合了光学定位和物理定位的优点，提高定位精度。

附图说明

下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明：

附图1为本发明所述的一种3D晶圆环切后的定位方法的示意图。

具体实施方式

下面结合附图来说明本发明。

如附图1所示，本发明所述的一种3D晶圆环切后的定位方法，先对晶圆1进行环切，去除晶圆1外圈的厚度异常部位2，再对环切后的晶圆1进行两道平切，加工出一道短边3和一道长边4；短边3和长边4通过激光或物理切割的方式加工而成，短边3与长边4的中心线互相垂直。

通过物理方式对短边3的一侧进行定位，如平台对靠等方式；同时通过镜头等感光传感器识别长边3，进行长边一侧的定位。

上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。